新迅达通过股权互换深度绑定鑫诚光电，取得长兴鑫兴光电控制权，依托浙江长兴基地建设高端激光器芯片智慧工厂，布局化合物半导体晶圆制造（Pure Fab）赛道。基地规划2027年形成4万片/年流片能力，重点布局GaAs和InP双平台。核心技术团队来自台湾稳懋，拥有二十余年经验。目前佛山基地已实现6英寸EEL量产，HCSEL量产，VCSEL预计2026年9月量产。公司6英寸GaAs巴条良率超85%，VCSEL良率超99%。AI算力推动高速光模块升级，公司有望进入国内化合物半导体晶圆制造第一梯队，中长期具备300亿元以上估值潜力。
