【我国成功研制出三维多层片上电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片】财联社6月12日电 据湖北江城实验室消息,该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片,支撑高算力、低功耗 芯片研发。目前,相关技术正在开展工艺流片及小批量试产,将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用,本质上是一个超微缩的"蓄水池":当芯片电流剧烈波动时,能迅速充放电以平抑电压,确保芯片吃上"纯净且稳定"的电流。电容在算力系统中也被比为"电RAM":HBM是算力的数据缓冲,电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电,必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。Ⅱ电报解读!题材解读 功耗倍增直接传导至被动元器件用量倍增。村田制作所披露,GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC,约为智能手机用量的30倍、汽车的3倍;整机柜MLCC用量进一步抬升至44万颗。MLCC作为电源/信号链的"毛细血管”,其用量与GPU数量、单卡功 而代际跃迁带来的量增空间还在进一步打开。从H100到RubinUitra的演进路径来看,单机柜GPU数量已从HGXH100的8颗跃升 6的约430万颗。这一增长背后是GPU封装数与电源路数的双重放大效应图表2:从H100到RubinUItra单机柜的MLCC用量跃迁 对应GPU数量..144576对应单机柜4.8万瓶44万额60万瓶430万瓶MLCC用量来源:DoNews、村四,国金证券研究所 二、电容正成为继HBM之后的算力新瓶颈,具备复制HBM涨价的核心条件是"AI服务器需求暴增→产能转向高端→中低端供给紧缩一价格反向传导"的产业逻辑。国金证券刘高畅认为,电容正在复制HBM的传导路径。AI服务器MLCC用量较普通服务器升5-10倍,村田预计AI服务器MLCC 供龄格局三星/SK海力士/美光三巨头村田全球市占单40%,AI服务器领域70%CR5超77% 交期/库存产能紧缺交期拉长至16-20周,库存5年低位来源:界面新网,国金证券研究所 相关上市公司祥和实业:公司生产的电子元器件配件产品主要配套铝电解电容器。 构以支持业务发展。关联个股祥和实业-1.98%时代新材+2.89%