【电报解读】AI数据中心向800V HVDC供电架构升级下，SiC成为突破效率瓶颈的关键，行业正经历从“新能源驱动”向“算力需求拉动”的历史性动能切换，这家公司碳化硅产能约2500片每月-20260610

电报解读 ⅡI电报内容 【Wolfspeed推出低导通电阻碳化硅MOSFET】财联社6月9日电，Wolfspeed公司6月9日宣布推出第五代（Gen5）碳化硅（SiC）MOSFET技术。据该公司介绍，与目前市售的竞品1200-V解决方案相对比，其最高可降低27%的比导通电阻RSP，显著改善了系统级导通损耗。目前，QEM50120-025D10和QEM50075-025D10的样品通过Wolfspeed的直接销售代表向特定客户提供。随着市场需求和客户要求最终确定，预计从2026年至2027年初将陆续推出更多750V至1200V的新产品。 Ⅱ电报解读 题材解读 一、碳化硅行业正经历从“新能源驱动"向“算力需求拉动的历史性动能切换 碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心，凭借高击穿场强、高热导率与高电子漂移速率，确立了在高温高压高频场景的不可替代性。当下，行业正经历从"新能源驱动"向"算力需求拉动"的历史性动能切换。 十四五以来，国家将第三代半导体列为战略性新兴产业。2025年中央经济工作会议强调加快人工智能基础设施建设，突破先进功率半导体瓶颈。2026年政府工作报告明确提出"推动第三代半导体规模化应用，支持8寸及以上衬底产业化”。“十五五"规划纲要专章部署宽禁带半导体材料与器件”，并设立科技专项。地方层面，北京、上海、深圳、山东等地出台配套资金与用地优惠政策。总体看，政策从顶层设计到地方落地形成闭环，为SiC行业提供了稳定的发展环境。 二、AI数据中心向800VHVDC供电架构升级，SiC成为突破效率瓶颈的关键 A/数据中心向800VHVDC供电架构升级，SiC成为突破效率瓶颈的关键。英伟达2025年5月官方宣布，数据中心正从当前的54V机架供电向800VHVDC高压直流架构过渡，目标是2027年实现该架构的规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。随着AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望随800VHVDC方案推进而扩大。 华西证券卜灿华认为，AI数据中心功耗升高、英伟达800V架构推出，AI电源成为关键一环，SiC作为功率器件有望重点受益，产业链多家厂家已着手布局SiC的固态变压器（SST）。预计到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，有望实现近8倍增长，其中8寸下游FAB线的大量扩产有望大幅刺激衬底与设备需求。 相关上市公司 三安光电：湖南三安与意法半导体在重庆设立的合资公司安意法生产碳化硅外延、芯片独家销售给意法半导体，现有产能2,000片/周，规划达产后8时外延、芯片产能为48万片/年，目前已有产品完成验证，进入风险量产阶段。 华润微：公司目前碳化硅产能约2500片/月，Sic器件销售规模较上年同期实现高速增长。