【电报解读】NAND芯片合同价8个月涨幅超600pct，业内大厂预计存储芯片短缺将至少持续到2030年，这家公司在多个相关测试环节拥有全栈测试开发能力-20260514

电报解读 IⅡ电报内容 【NAND芯片合同价8个月涨幅超600%】《科创板日报》13日讯，据报道，自2025年9月底以来，NAND芯片的合同价格上涨超过600%，而DRAM芯片的合同价格上涨近400%。摩根大通最新报告称，由于人工智能推动的需求持续超过供应，库存紧张，HBM供应被多季度的价格和数量协议锁定，预计存储芯片价格和销量将在2027-2028年继续上涨。 Ⅱ电报解读 一、DRAM和NAND存储芯片短缺恐持续至2030年 近日，群联电子（Phison）首席执行官潘健成称，DRAM内存和NAND闪存短缺问题的严重程度远超市场预期，且因结构性转变持续至2030年以后。潘健成指出目前晶圆厂处于绝对的卖方市场地位，甚至提出了史无前例的付款条件：客户需预付未来3年的产能款项。行业内部估算显示，这一供应短缺局面将至少持续到2030年，甚至可能长达十年且看不到尽头。 潘健成预测，从2025年底到2026年，许多公司将因无法确保足够的内存供应，而被迫停产或退出产品线。到2026年下半年，大量低利润品牌将倒闭离场，低端产品将从市场上彻底消失，从而形成市场真空，直到供应恢复后市场增长才会再次爆发。 潘健成特别提到，英伟达下一代VeraRubinAI基础设施及其ICMS平台对存储规格要求极高，单这一产品线就可能吞噬超过20%的全球NAND产量。业界目前尚未完全将这种巨大的企业级需求计算在内，一旦需求爆发，将进一步挤压消费级市场的生存空间。 二、随着推理AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期 东方证券指出，AI算力等相关需求在存储需求中逐步占据主导地位，带动存储紧缺持续。NAND方面，随着推理AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期，北美各大CSP自2025年底起开始强力拉货，刺激EnterpriseSSD订单爆发。在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货以尽早补足库存，推升2026年第一季EnterpriseSSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录。 此外其表示，CES2026上英伟达推出推理上下文内存存储平台，闪迪预计相关设计在2027年有望带来额外的75-100EB的存储需求增量，并在2028年进一步翻倍。展望未来，AI推理对于存储的增量需求仍将持续被挖掘，面向服务器的DRAM和NAND等整体需求有望持续高速增长。 三、相关上市公司：佰维存储、兆易创新 佰维存储：公司在NANDFlash及DRAM存储芯片领域的ATE测试、Burn-in（老化）测试、SLT（系统级）测试等多个环节，拥有从测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动化软件平台开发的全栈测试开发能力。 兆易创新：公司存储产品包括NORFlash、SLCNANDFlash及DRAM产品。公司NORFlash产品容量覆盖512Kb-2Gb，广泛应用于工业、消费类电子、汽车、物联网、计算、移动应用以及网络和电信行业等各个领域。在SLCNANDFIaSh产品，容量覆盖1Gb-8Gb，其中SPINANDFlash在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。 电报解读 虫家深度解析