- 核心观点： 存储芯片市场持续处于超级周期，DRAM 和 NAND 价格持续上涨，主要受 AI 服务器需求、HBM 替代速度、企业级 SSD 需求增长等因素驱动。HBM4 量产时序成为影响市场节奏的关键变量。
- 关键数据：
- DRAM 合约价： 摩根大通将 2026 年第一季度 DRAM 合约价季度环比从 +85% 上调至 +96%，预计第二季度环比 +61%。TrendForce 预测服务器 DRAM 第一季度环比涨幅在 +88% 到 +93% 之间，第二季度环比涨幅在 +20% 到 +25% 之间。
- NAND 合约价： 预计第二季度环比涨幅在 +73% 左右，绝对水平仍为过去 18 个月最高。
- DRAM 现货价格： DDR5 16Gb 现货价格在 3 月份环比下跌 -6.1%，为 2025 年补库以来首次下跌。
- NAND 现货价格： 1Tb TLC NAND 现货价格在 3 月份环比上涨 +16%，同比上涨 +475%。
- B200 GPU 租赁价格： 3 月份环比上涨 +23.5%，达到 5.47 美元/时。
- HBM 渗透率： 预计 HBM 在 DRAM 总位元需求中的占比将从 2024 年的 4% 提升至 2026 年的 11%。
- AI 服务器出货量： 预计 2026 年全球 AI 服务器出货量将达到 270 万台，同比增长 28%。
- GB300 NVL72 单机 BOM 成本： HBM 占比 11%，普通 DRAM 占比 3%，NAND 占比 0.4%。
- Agentic AI 对 CPU 需求的拉动： 预计到 2030 年，Agentic AI 工作负载将额外贡献 1000-1500 万颗 CPU，相当于将 CPU TAM 在原有基础上多撬出 18-22%。
- 研究结论：
- DRAM 和 NAND 市场将持续紧俏，价格有望继续上涨。
- HBM4 量产时序将成为影响市场节奏的关键变量，SK 海力士有望最早实现量产。
- AI 服务器需求、HBM 替代速度、企业级 SSD 需求增长等因素将推动存储芯片市场持续增长。
- 国产替代在短期内对市场影响有限，但长期将平抑 HBM 让产能后留下的普通 DRAM 缺口。
- 消费端补库结束将是市场的重要风险点。
