MicroLED技术正从显示领域向AI数据中心光互连渗透，有望打破传统铜缆距离受限与光模块高功耗可靠性较低的权衡困境，是下一代通信基础设施重要的技术方向之一。
核心观点：
- MicroLED光通信采用“宽而慢”（WaS）架构，使用数百个并行低速光通道，单通道可通过简单的开关方案实现数Gbps的调制速率。
- MicroLED方案在功耗、可靠性、成本、传输距离上优势显著：
- 低功耗：相比传统激光方案，可省去DSP、CDR、ADC/DAC等复杂功能，模拟前端和MicroLED功耗更低，微软800G的MicroLED光模块功耗仅3.1-5.3W。
- 高可靠性：故障率低至20以下，与铜缆水平相当，比主流光学方案高出一个数量级。
- 低成本：光芯片和电芯片成本大幅削减，制造费用低，电芯片部分可省去复杂功能，成本大幅下降。
- 传输距离可达数十米：微软、Credo的MicroLED方案传输距离分别可到50米（800G速率）、30米，远长于铜连接（800G速率下铜连接传输距离仅3-7米）。
产业链与市场：
- MicroLED产业链上游包括LED芯片、光学透镜、多芯光纤、driver等元件、上游设备；中游为封测制造；下游包括VR/AR、智能穿戴、消费电子、光通信、车载显示等领域。
- 海外厂商Avicena、微软、联发科、Credo、Marvell等已推出产品或通过投资及联合研发布局MicroLED互联。
- 国内厂商华灿光电、兆驰股份、利亚德、三安光电等已研发出MicroLED相关通信产品，部分产品速率与海外头部厂商水平接近。
- MicroLED光通信的潜在市场空间有望超过百亿美金，上游MicroLED芯片、光学透镜、多芯光纤、driver等元件、上游设备、中游封测制造环节均有望受益。
主要难点：
- 系统封装：需将MicroLED阵列、光学透镜、Driver芯片三种异质材料进行立体封装，对封装的一致性、良率要求较高。
- 巨量转移：完成微米级MicroLED晶粒制作后，批量转移到电路基板，对精度、良率、效率要求极高。
- 色散效应处理：MicroLED光束形态较大且色谱较宽，需加入光学透镜和电子后端恢复信号。
- 定制光纤：采用多芯成像光纤，单根光纤可包含数千上万条纤芯，制造一体化，纤芯的一致性高。
研究结论：
- MicroLED光通信技术正逐渐走向产业落地，2026年有望看到更多产品落地，并在2027年、2028年开始逐渐进入量产。
- 国产产业链有望迎来较大的发展机遇，相关标的有华灿光电、兆驰股份、三安光电、利亚德、富采光电、新相微、水晶光电、蓝特光学、CRDO、MRVL等。
风险提示：
- 研发不及预期风险、市场开拓不及预期风险、技术路线竞争风险、下游需求波动风险、设备及材料供应风险、知识产权与专利纠纷风险。
