MicroLED：开启AI光互联新篇章

本报告导读： 电子元器件《核聚变材料空间广阔，国内企业积极突破》2026.01.22电子元器件《Claude Cowork正式发布，CPU需求加速增长》2026.01.22电子元器件《钛合金持续渗透，国内企业积极布局》2026.01.08电子元器件《存储产业链的“通胀”投资机会》2026.01.08电子元器件《互联网大厂加速AI布局，国产算力需求增长可期》2026.01.05 MicroLED正从显示领域向光通信渗透，其打破了传统激光方案和铜连接的局限，已进入产业落地阶段，MicroLED光通信TAM有望超百亿美金 投资要点： 靠性、成本、传输距离上优势显著。MicroLED作为通信发光源，采用“宽而慢”的架构（WaS），使用数百个并行低速光通道，单通道可通过简单的开关方案实现数Gbps的调制速率。基于MicroLED光源，1.6Tbps CPO光通信产品功耗有望降低到1.6W左右，800G光模块功耗降至3-5W。可省去部分复杂电芯片，经济性和功耗优势显著，传输距离可达数十米，可靠性可达到铜连接水平，支持可插拔、CPO、OBO等封装方案 Micro LED光通信技术正逐渐走向产业落地，形成了CSP、LED厂商、通信厂商共同参与的生态。海外头部厂商已推出产品。海外Avicena于2025年11月推出单通道4Gbps的通信方案，2026年3月推出全球首款Micro LED光互连评估套件。微软提出MOSAIC技术，与联发科合作开发并发布基于MicroLED的800G AOC，Credo计划于27财年推出ALC创新品类，28财年进入量产爬产。Marvell对MicroLED厂商Mojo Vision进行投资并合作开发光通信技术。 国内跟进迅速，多家MicroLED厂商已送样光互联产品。华灿光电、兆驰股份、利亚德、三安光电均已研发出MicroLED相关通信产品，正在验证测试阶段，三安光电生产的MicroLED光源器件NRZ-OOK传输速率可突破10Gb/s。中国厂商部分产品速与海外头部厂商水平较为接近，国产产业链有望迎来较大的发展机遇。 风险提示：研发不及预期风险、市场开拓不及预期风险、技术路线竞争风险、下游需求波动风险、设备及材料供应风险、知识产权与专利纠纷风险 目录 1.MicroLED光通信有望超百亿美金，海内外产业链大有可为..................32.MicroLED可打破光铜传输困境，技术潜力大.......................................32.1.MicroLED处于商业化早期，下游包括显示、光通信等领域.............32.2.MicroLED光通信在功耗、可靠性、成本、传输距离上优势显著......42.3.系统封装、巨量转移、色散效应处理、定制光纤是主要难点...........63.MicroLED光通信进入产业落地阶段.....................................................73.1.海外：Avicena、微软、联发科已发布产品，Credo、Marvell通过投资及联合研发布局MicroLED互联..............................................................73.2.国内：多家MicroLED厂商已送样光互联产品.................................94.风险提示..............................................................................................9 1.MicroLED光通信有望超百亿美金，海内外产业链大有可为 Micro LED技术正从显示领域向AI数据中心光互连渗透，有望打破传统铜缆距离受限与光模块高功耗可靠性较低的权衡困境，是下一代通信基础设施重要的技术方向之一。基于"宽而慢"（WaS）架构，Micro LED可将800G光模块功耗降至3-5W，可省去部分复杂电芯片，经济性和功耗优势显著，传输距离可达数十米，可靠性可达到铜连接水平，支持可插拔、CPO、OBO等封装方案。 Micro LED光通信技术正逐渐走向产业落地，形成了CSP、LED厂商、通信厂商共同参与的生态。多家海外头部厂商已推出产品。海外Avicena于2025年11月推出单通道4Gbps的通信方案，2026年3月推出全球首款Micro LED光互连评估套件。微软提出MOSAIC技术，与联发科合作开发并发布基于MicroLED的800G AOC，Credo计划于27财年推出ALC创新品类，28财年进入量产爬产。Marvell对MicroLED厂商Mojo Vision进行投资并合作开发光通信技术。 国内跟进迅速，多家MicroLED厂商已送样光互联产品。华灿光电、兆驰股份、利亚德、三安光电均已研发出MicroLED相关通信产品，正在验证测试阶段，三安光电生产的MicroLED光源器件NRZ-OOK传输速率可突破10Gb/s。在EML、VCSEL等激光芯片领域，中国厂商整体落后海外厂商约1.5代左右，而在MicroLED光源芯片领域，中国厂商部分产品速率接近海外头部厂商水平，国产产业链有望迎来较大的发展机遇。 我们看好MicroLED在光通信的应用潜力，2026年有望看到更多产品落地，并在2027年、2028年开始逐渐进入量产。MicroLED光通信的潜在市场空间有望超过百亿美金，上游MicroLED芯片、光学透镜、多芯光纤、driver等元件、上游设备、中游封测制造环节均有望受益，相关标的有华灿光电、兆驰股份、三安光电、利亚德、富采光电、新相微、水晶光电、蓝特光学、CRDO、MRVL等。 2.MicroLED可打破光铜传输困境，技术潜力大 2.1.MicroLED处于商业化早期，下游包括显示、光通信等领域 Micro LED（Micro Light Emitting Diode）技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，晶粒尺寸在1~100微米，是新型显示领域中成长潜力巨大的方向之一，并拓展进入AI时代光通信领域。 Micro LED的发光原理是基于氮化镓、磷化铝稼铟等无机半导体材料，给芯片外加电压，电子与空穴复合释放能量，直接以光子形式发光。其高效的光电转换性能使其在光互联场景下表现出了较高的应用潜力。 MicroLED产业链上游包括LED芯片、LED灯珠、PCB、衬底材料、玻璃基板、驱动IC、彩色滤光片、偏光片、液晶材料等，其中芯片是影响MicroLED性能的核心元件，中游为MicroLED封测；下游包括VR/AR、智能穿戴、消费电子、光通信、车载显示等领域。 目前MicroLED依然处于渗透初期，产业链相关的海内外公司数量众多。LED芯片及封装环节，华灿光电在6英寸MicroLED量产进度领先，兆驰股份、三安光电、深天马、辰显光电、利亚德、上海显耀、錼创科技、康佳集团等也是该领域的重要参与者。 下游应用节奏来看，苹果、三星、索尼在持续推动MicroLED在消费电子领域的应用，而随着AI快速发展，对通信要求不断提升，Avicena、微软、联发科、Credo等厂商也在积极将MicroLED引入光通信领域。 2.2.MicroLED光通信在功耗、可靠性、成本、传输距离上优势显著 MicroLED作为通信发光源，采用“宽而慢”的架构（WaS），使用数百个并行低速光通道，单通道可通过简单的开关方案实现数Gbps的调制速率。如果每个MicroLED速率为2Gbps，采用20*20的阵列即可实现800Gbps的传输速率，而晶圆面积小于1mm*1mm。产品形态上，可以支持可插拔，CPO等不同封装形式。 MicroLED可在可见光范围运行，可以使用CMOS传感器或者硅光电探测器接收感应，提高集成度，并复用成熟的CMOS生态降低成本。蓝绿光microled采用氮化镓，红光Microled采用磷化铝稼铟。 MicroLED方案突破了传统激光方案和铜连接的局限，具备低功耗、高可靠性、低成本、传输距离可达数十米的优势。 1）低功耗。MicroLED采用低速宽带模型，而传统激光方案采用窄带高速模型（NaF），比如采用8个100Gbps通道实现800G的传输距离，需要耗电量更高的激光驱动器，并采用DSP来恢复信号，采用PAM-4调制方案 （4电平信令），需要DAC、ADC量化电平，而MicroLED单通道速率低，可以采用NRZ调制，仅需区分“有光/无光”，无需采用DAC、ADC转换器，得益于低速信道特征，在部分MicroLED方案下，可以省去DSP处理器。而由于MicroLED可以实现超额信道配置，多余的信道可以用于传输时针信号，进一步消除对于CDR电路需求，帮助降低功耗。因此MicroLED与传统激光方案相比，可以省去DSP、CDR、ADC/DAC等复杂功能，且模拟前端（包含Driver、AMP）和MicroLED（对比激光器）的功耗更低。微软800G的MicroLED光模块功耗仅3.1-5.3W，比AOC低60%左右。据TrendForce，Micro LED CPO方案的单位传输能耗较低，可大幅降低整体能耗至铜缆方案的5%，在MicroLED CPO架构下，1.6Tbps光通信产品功耗有望相比传统光模块降低20倍，到1.6W左右； 2）高可靠性。由于MicroLED是通过自发辐射发光，仅需要电子和空穴简单符合就产生光子，而激光器是受激辐射，使用谐振腔结构，MicroLED制造成本更低，可靠性更高。此外，由于MicroLED阵列的成本、功耗较低，且体积小，可以配置一定的冗余通道，用于提高可靠性。在图3微软设计方案里，可以看到即使多配置5%的冗余通道，在单通道FIT为0.1下（常见情况），MicroLED的故障率低至20以下，与铜缆水平相当，比主流的光学方案高出一个数量级； 资料来源：微软研究院 3）低成本。光芯片和电芯片是在传统可插拔光模块成本结构中占比最高的部分，预计合计占比超过六成。MicroLED则在光、电两方面都有较大的成本削减，首先，MicroLED的单通道速率较低，对于代工要求更少，制造费用低，其次，电芯片部分理论上可以省去DSP、CDR、ADC/DAC等复杂功能，且对于模拟前端的要求也更低，还可以复用CMOS生态进行感应，成本大幅下降； 4）传输距离可达数十米，长于铜连接。微软、Credo的MicroLED方案传输距离分别可到50米（800G速率）、30米。而铜连接使用少量高速串行通道，随着速率提升，高密度电磁干扰导致传输距离逐渐缩短。800G速率下，无源铜缆DAC、有源铜缆AEC传输距离分别为3米、7米，传输范围限制在机柜内部，以及小范围的相邻机柜之间，进入1.6T后，铜连接传输距离进一步收窄，AEC传输距离也仅3米。 2.3.系统封装、巨量转移、色散效应处理、定制光纤是主要难点 MicroLED封装要求较高。系统需要将MicroLED阵列（GaN等）、光学透镜、Driver芯片（硅）三种异质材料进行立体封装，耦合至多芯光纤，涉及光学对准、热膨胀系数匹配及长期可靠性验证，对封装的一致性、良率要求较高。 巨量转移，即完成微米级MicroLED晶粒制作后，把大量LED晶粒批量转移到电路基板上，是MicroLED规模化量产的重要基础。整个转移过程对精度、良率、效率要求极高，有激光转移、印章式巨量转移技术、混合式转移技术等方案。据重庆康佳光电，要实现Micro LED产业化，巨量转移需达到转移良率约99.9999%，转移效率>3,600万颗芯片/小时。康佳的混合式巨量转移方案良率达99.999%，辰显光电巨量转移及修复良率可达99.995%，迈为股份的激光巨量转移设备可以实现99.999%良率。 MircoLED光束形态较大且色谱较宽，色散效应会对信号传输产生影响。