存储行业深度：发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理

去年9月至今，受需求"爆发式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近1个多月以来涨幅呈现扩大态势。当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。 围绕存储行业，下面我们从存储行业发展现状展开讨论，分析当前市场规模、技术趋势、竞争格局、并从需求及供给端分析当前存储行业发展情况，并对产业链及相关公司进行梳理，希望帮助大家更多了解存储行业发展情况。 目录 一、存储行业概述.........................................................................1二、存储行业发展现状.....................................................................3三、存储行业产业链及商业模式.............................................................4四、存储行业市场规模分析.................................................................5五、存储行业技术趋势.....................................................................9六、存储行业竞争格局分析................................................................12七、存储行业需求端分析..................................................................14八、存储行业供给端分析..................................................................18九、存储行业相关公司....................................................................22十、参考研报...........................................................................27 一、存储行业概述 1.存储器 存储器是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质不同，可以分为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点；被广泛应用于各类电子产品中。 存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为RAM（随机存储器）、ROM（只读存储器）和新型RAM（基于新材料研制而成，尚未实现商业化）。其中，RAM大头是DRAM、ROM大头是NANDFlash为主。 2.DRAM DRAM（动态随机存取存储器、断电后数据丢失）是存储器细分产品中的营收占比最大的产品。 DRAM基本存储单元由一个晶体管和一个电容（1T1C）构成，被广泛应用在主机内存上，产品主要分为DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。HBM是3D堆叠构成的“高带宽、高速”DRAM内存，其DRAMdie之间以TSV连接；通过3D堆叠，HBM实现内存容量与带宽瓶颈的突破。由于HBM的带宽领先其他技术一个数量级之多，更好适配高度并行计算、科学计算、计算机视觉、AI等使用场景。 3.NAND Flash NAND Flash是最为常见的非易失存储介质，其标准化的生产过程、容量大、且断电不会丢失存储信息的特征，决定了NANDFlash被广泛应用在资料存储的应用属性。 二、存储行业发展现状 1.存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间 存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间。根据安兔兔公众号，自去年9月起，存储板块迈入价格快速攀升通道，DRAM（内存）与NANDFlash（闪存）现货价累计涨幅已超300%，第四季度合约价同比上涨75%，其中DDR5颗粒单月涨幅更突破90%。此轮涨价的核心驱动力源于AI应用中“以存代算”技术的普及——全球约66%的DRAM产能已被AI服务器吸纳，三星、SK海力士及美光等企业更将70%产能倾斜至高利润的HBM（高带宽内存）与DDR5产品，此举直接导致消费级芯片出现20%的供应缺口。CounterpointResearch指出，在AI与服务器需求的双重激增下，存储市场已进入超越2018年历史高点的超级牛市阶段，供应商议价能力攀至历史峰值。 Trend Force进一步预测，2026年第一季度，随着DRAM原厂大规模向服务器、HBM领域转移先进制程与新产能以满足AI需求，普通DRAM合约价将环比大增55%-60%；而NAND Flash受限于产能管 控及服务器强势采购对其他应用的挤压，各类产品合约价仍将延续33%-38%的涨幅。多重因素叠加下，存储价格的上涨动能有望持续释放。 2.存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品 厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在500至1500元之间，小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300至500元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响，PPI方面，计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对PPI的拖累作用有所减弱。 三、存储行业产业链及商业模式 1.产业链情况 存储器产业链情况：原厂掌握产业链核心技术，并推动技术迭代与标准制定。据江波龙招股说明书，存储器产业链从上至下分别为：晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下游具体应用场景等。其中，上游晶圆厂即存储“原厂”，是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商的通称，掌握核心颗粒（Die）的制造权，如三星、美光、海力士、长鑫存储等。原厂拥有晶圆制造能力，掌握制程工艺、架构设计等核心技术，是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者，同时控制着行业最关键的产能资源。此外，原厂还推动行业技术迭代与标准制定，新一代存储技术（如3DNAND层数提升、DRAM制程升级、接口标准变更）通常由原厂率先研发并量产，其强话语权决定了产业升级节奏和方向。 存储下游应用场景多样，产品千端千面。存储器的下游应用市场包括手机、笔电、服务器、工业、车载、家用电器、安防监控、物联网硬件等，不同应用市场对存储器的功能要求不同，在存储原厂完成标准的晶圆制造之后，应用场景所需的功能则在NAND Flash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现，这一环节需要开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。 原厂主要服务核心客户。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆工艺制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。 第三方解决方案厂商提供定制化服务。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。无晶圆制造的存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行介质晶圆特性研究与选型、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计与制造、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为千端千面的存储器产品，扩展了存储器的应用场景，提升了存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化和商业化。 2.商业模式 商业模式：主要晶圆厂仍采用IDM模式运营，部分原厂向下游存储产品渗透。不同于逻辑芯片从IDM模式向产业链分工模式切换，半导体存储器由于布图设计与晶圆制造结合更为紧密，业内主要晶圆厂仍采用IDM模式运营。此外，由于存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能在NAND Flash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现，因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。 四、存储行业市场规模分析 1.2026存储市场将超3000亿美元 存储行业市场规模在周期波动中呈现出持续增长之势，主要系存储位元需求整体呈现逐年提升，产品价格的周期性变化使得行业规模在波动中持续增长。我们预计2026年存储行业市场规模或将超3000亿美元。 2.IDM模式下的重资本投入 存储行业的生产模式为IDM的模式，据ICInsight统计数据显示，近年来，存储器资本开支占存储器营收的30%-40%。对不同制程节点扩产所需设备的投资额分析可以发现，10-20nm制程的每5万片晶圆产能所需设备投资额在47-63亿美元之间，随着存储制程来到10nm+，设备投资额度的加大是其资本开支不断增长的原因之一（注：10-20nm制程不含10nm、含20nm）；行业具备重资产投入属性。 对存储产品的历史价格进行分析，可知：存储价格都有着显著的“暴涨—暴跌”的循环变化；尽管全球存储需求中长期在快速增长，但中短期需求具有一定的波动，同时受制于供给端厂商新建产线往往需要较长的时间（两年左右）集中释放产能，供需时空上的错配是致使存储器周期性波动的核心所在。本轮在AI驱动的强需求下，存储供给持续紧张，价格整体上涨幅度超历史存储周期。在需求持续增长、且价格持续上升之际，当前行业主要玩家的整体盈利能力持续提升。 3.HBM代际升级、市场规模持续扩大 有别于传统的DRAM产品形态，HBM（（高带宽内存）借助硅通孔技术实现DRAM颗粒的空间堆叠（单位面积下内存容量的提升）、并有效增加引脚数量（x1024/2028，HBM—HBM3E），从而实现带宽数量级式的抬升。自2013年海力士研发出业内首颗HBM芯片以来，HBM现已迭代至第六代产品 HBM4；在产品持续迭代的过程中，HBM存储容量、带宽均实现持续增长。HBM4产品单颗最大容量有望达48GB、带宽达2TB/s。当前，三大原厂三星、海力士、美光均已正式推出HBM4。 以英伟达系列GPU为例，单卡所搭载HBM在产品代际持续提升之际、搭载容量亦呈现出持续提升之势。从H100到Rubin系列，单卡搭载HBM从HBM3升级至HBM4，搭载容量亦从80GB提升至288GB。 HBM作为与GPU/ASIC直接封装的存储芯片，其市场随着GPU/ASIC的产品升级和高速增长，而呈现出快速扩容之势。据美光预计2028年HBM市场规模有望达1000亿美元，2025-2028年复合增速达40%。 五、存储行业技术趋势 1.NAND Flash需求持续增长 AI大模型参数拓展至数万亿级参数和步骤推理，生产大量的上下文数据以键值（KV）缓存表示，KVCache长期存储在HBM会造成实时推理瓶颈；为了解决该瓶颈，会将KVcache卸载至G2系统内存和G3本地NAND Flash。 随着模型参数及推理规模的增加，G1-G3存储容量仍难以满足KVcache存储需求，英伟达CES大会推出推理上下文存储平台（ICMS平台）；通过建立专为KVcache优化的用以太网连接的G3.5闪存层，为GPU服务器额外增配PB级别的共享存储，有效扩展了GPU存储容量。参考英伟达ICMS平台，我们预计未来其他GPU/ASIC对NAND Flash的配置比例亦呈现持续提升之势。整体而言，AI时代，随着KVcache卸载至NAND Flash及推理时代来临，NAND Flash需求将呈现高速增长。 2.HBF技术落地可期