晶盛机电机构调研纪要

调研日期: 2026-02-25 浙江晶盛机电股份有限公司成立于2006年，是一家专注于半导体材料装备和化合物半导体衬底材料制造的高新技术企业。公司于2012年上市，拥有28家下属公司和3个研发中心。公司拥有以教授、博士为核心的技术研发和管理团队，研发技术人员占比超过20%。公司已成为全球光伏装备技术和规模双领先的企业，国内集成电路级8-12英寸大硅片生长及加工设备领先企业。公司为半导体产业、光伏产业和化合物衬底产业提供智能化工厂解决方案，满足客户数字化智能化的生产模式需求。公司获得制造业单项冠军产品、企业标准“领跑者”证书称号，连续多年完成利税位居中国电子专用设备行业首位，两次入选福布斯榜单，连续三年上榜胡润中国500强等荣誉。公司董事长曹建伟博士被评为“2021年度风云浙商”“第二十届浙江省优秀企业家”。 1、请介绍一下公司光伏业务的布局? 答:公司作为全球技术和规模双领先的光伏设备供应商,业务覆盖光伏全产业链关键装备、核心耗材及智能工厂整体解决方案,致力于为客户提供具备全球竞争力的产品与服务。在光伏装备端,公司产品覆盖硅片、电池、组件全环节,可提供整线解决方案,具体包括晶体生长、加工、电池工艺(如 PECVD、ALD)及去银化组件设备等关键设备。在光伏耗材端,公司石英坩埚实现技术规模双领先;金刚线产品在切割效率与稳定性上表现突出,并已实现高品质钨丝金刚线量产。在智能制造端,公司通过装备的数字化与智能化联通,为客户提供自动化、数字化的智能工厂解决方案,助力其降本增效。 2、请介绍一下在光伏装备端,公司具体有哪些产品布局? 答:在光伏装备领域,公司产品覆盖了硅片、电池和组件环节,为客户提供光伏整线解决方案。硅片制造端,公司的主要产品有全自动晶体生长设备(单晶硅生长炉)、晶体加工设备(环线截断机、环形金刚线开方机、滚圆磨面一体机、金刚线切片机)、晶片加工设备(脱胶插片清洗一体机)、晶片分选检测设备等;在电池端,公司开发 PECVD、扩散、退火、单腔室多舟 ALD 和电池切割边缘钝化(EPD)设备等多种电池工艺设备;在组件端,公司开发了含排版机、边框自动上料机、灌胶检测仪等多道工序的组件设备产线。同时,通过实现各装备间的数字化和智能化联通,向客户提供自动化+数字化的智能工厂解决方案,促进客户生产效率提升,实现降本增效。 公司单晶硅生长炉在光伏行业实现了技术和规模双领先,切片机、脱胶插片清洗一体机以及分选装盒一体机以创新的设计和工艺,实现了生产效率和质量的大幅提升;差异化设计和工艺的电池设备,在稳定性、均匀性以及效率等方面表现优异,得到客户的广泛认可;创新的去银化组件设备,能够大幅降低电池及组件环节的银耗,大幅降低组件生产成本。 3、请问公司碳化硅衬底业务的进展? 答:公司碳化硅衬底材料业务已实现 6-8 英寸碳化硅衬底规模化量产与销售,量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平,8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列,公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,产品验证进展顺利,并成功获取部分国际客户批量订单。同时公司首条 12 英寸碳化硅衬底加工中试线已正式通线。 4、请问公司 12 寸碳化硅衬底材料的进展? 答:2025 年 9 月,公司首条 12 英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞 SuperSiC 正式通线,至此,子公司浙江晶瑞SuperSiC 真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化,标志着晶盛在全球 SiC 衬底技术从并跑 向领跑迈进,迈入高效智造新阶段。今年 1 月份,依托自主搭建的 12 英寸中试线,浙江晶瑞 SuperSiC 成功实现 12 英寸碳化硅衬底厚度均匀性(TTV)≤1μm 的关键技术突破;这是继建成行业首条 12 英寸碳化硅中试线后,晶盛机电研发中心与浙江晶瑞 SuperSiC 联手取得的又一重大成果,充分彰显了晶盛机电“装备+材料”协同创新的核心优势。 5、请问公司碳化硅衬底材料的产能布局? 答:公司积极布局碳化硅产能,在上虞布局年产 30 万片碳化硅衬底项目;并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场,在马来西亚槟城投建 8 英寸碳化硅衬底产业化项目,进一步强化公司在全球市场的供应能力;同时,在银川投建年产 60 万片 8 英寸碳化硅衬底片配套晶体项目,不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。 6、请问公司半导体装备业务进展? 答:公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇,积极推进半导体装备的市场推广。 在集成电路装备领域,公司自主研发的 12 英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12 英寸干进干出边抛机、12 英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12 英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货,设备采用单温区、多温区闭环控温模式,结合多真空区间精准控压技术,确保外延生长过程的高度稳定性,其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计,能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性,满足先进制程的高标准要求。成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备,填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白,实现国产替代。 在化合物半导体装备领域,公司紧抓碳化硅产业链向 8 英寸转移的行业发展趋势,充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势,加强8 英寸碳化硅外延设备以及 6-8 英寸碳化硅减薄设备的市场推广,积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证,相关设备的市场工作进展顺利,为规模化量产奠定坚实基础。