全球存储技术：对1Q/2Q平均售价和利润的乐观情绪上升，上调全球预测

周主题：对1Q/2Q ASP 和利润的乐观情绪上升；提升全球预测

行业概述

• 内存销量预计在1Q和甚至2Q都将保持乐观，因为亚洲科技公司通常在农历新年期间运营水平降低。
• 本周观察到的业务活动与1月或去年同期相比明显不同，渠道检查显示芯片订单强劲，合同价格更高，新产品开发更活跃（12-13 Gbps HBM4、PCIe Gen5 eSSD、1c 节点 DRAM、300+ 层 NAND 等）。
• 大量通用 DRAM 模块以比 4Q25 平均价格高 50%+ 的价格购买，这与已报道的 1 月乐观销售（台湾内存同比增长 100%+）和韩国 2 月出口（预计同比增长 100%+）一致。
• 3 月和整个 2Q 装运的新合同价格也可能进一步环比/同比上涨，乐观的盈利结果（销售额/利润率）应会持续一段时间。
• 如果充分反映对 DRAM 甚至 NAND 的重新乐观情绪，三星电子和 SK 海力士的 1Q 毛利润可能达到 200 亿美元+（30 万亿韩元+），超过台积电。

全球预测上调

• 新谈判的每月/季度合同价格（适用于通用 DRAM 和 NAND）在农历新年假期前后为 10%+/- 高于 1 月的假设。
• 预计全球 DRAM ASP（包括稳定的 HBM）在 1Q26 上升中，环比增长 30%（不含 HBM：40%+），即使在 4Q25 上涨 30%+ 之后。
• 预计 2Q/3Q/4Q26 ASP 将有适度/进一步增长（环比增长 +8%/+2%/+2%），与之前对几乎持平的预测相比。
• 基于 ASP 增长 +84% 和比特增长 +19%，2026 年全球销售额预测从 2620 亿美元上调至 2920 亿美元（同比增长 118%）。
• NAND 看起来也更好，ASP 增长 +57%（同比增长），比特增长强劲 (+21%)；2026 年全球销售额应为 1530 亿美元（同比增长 89%）。
• 长期预测仍然显示，在 2024-25 年连续三年上行周期后，2026-27 年全球销售额每年仅增长 5-10%，但销售额/利润的绝对值应达到新的历史高位。

后端 TCB/封装领域的上行空间

• 本周内存供应链公司也提供了越来越乐观的指引。
• 原因：（1）当前 TCB 设备的利用率主要用于 HBM3e 而不是 HBM4 或 HBM4e（新设备订单增加可能很快就会显著）。
• （2）更先进的 DRAM（12+ Gbps LPDDR5、GDDR7、SOCAMM）和 NAND（基于 QLC 的 eSSD、PCIe Gen5、300+ 层）的封装/测试周期更长。
• （3）鉴于晶圆厂基础设施（洁净室、公用事业）和前端晶圆制造（光刻、沉积、蚀刻）的资本支出集中在这些领域，内存后端领域投资不足。
• 因此，投资者应关注 TCB 设备和封装服务公司的新的增长催化剂。

全球内存周期上行周期可能持续到 2026-27 年

• 预计全球 DRAM 销售在 2026 年将翻一番（同比增长 118%），即使在 2024 年/25 年分别增长 86%/52% 之后；主要贡献者应为海力士的 HBM 和强劲的 ASP 反弹（同比增长 84%）。
• NAND 销售预计在 2025 年低个位数增长后，2026 年将增长 +89%，主要受 ASP（同比增长 +57%）和强劲比特增长的推动。

高资本支出和云收入利润率

• 预计四大超大规模企业 2026 年的资本支出将创下历史新高，并持续；自 2024 年以来已开始强劲增长。
• 亚马逊、微软、字母表、Meta 和甲骨文 2026 年的资本支出将同比增长 60%+，达到 6000 亿美元，即使在 2025 年强劲增长 65%+ 之后；2027 年资本支出将达到 7500 亿美元+。
• 亚马逊、微软、字母表和 Meta 的总收入预计将在 2026-27 年增长 +15-20%。

内存现货价格趋势

• DRAM 现货价格自 2025 年 9 月以来异常强劲；当前主流 DRAM 16Gb DDR5 达到创纪录的 38 美元，16Gb DDR4 为 78 美元；DRAM 价格达到过去 25 年来的最高水平。
• 2025 年 10 月达到的最高水平是在 2017 年 10 月，但当时仅在 10 美元范围内。
• 2025 年 6 月 DDR4 发生交叉，16Gb DDR4（77 美元）远高于 16Gb DDR5（38 美元）。

内存合同价格月度趋势

• DDR5 和 DDR4 合同价格在 12 月稳定（环比增长 +5-15%），11 月强劲上涨（环比增长 124%/22%）之后；1 月动力强劲（环比增长 ~25-35%），而 2 月则疲软。
• 服务器 DRAM 合同价格（DDR5 vs DDR4 模块）当前处于创纪录的高水平（DDR5：800 美元，DDR4：700 美元）。
• DDR4/DDR5 服务器合同价格在 1Q26 的环比涨幅强劲（+60-65%），而 10 月/11 月/12 月的环比涨幅仅为 +20-25%，且远高于 7 月/8 月。

内存现货与合同价格比较

• 16Gb DDR5 现货和合同价格均处于 30-38 美元水平，而历史范围在 3-5 美元之间。
• 11 月观察到强劲的现货（环比增长 +116%）和合同（环比增长 +124%）反弹，而 12 月的复苏相对温和（环比增长 16%/6%）；1 月的价格复苏更好（环比增长 +25-35%），而 2 月则疲软。
• DDR4 合同价格在 4 月-12 月/1 月的反弹也值得注意，但水平低于现货价格上涨。
• 8Gb DDR4 合同价格在 10 月/11 月/12 月/1 月仅上涨 10-20%，而现货价格每次上涨 20-50%；2 月可能疲软。
• NAND 现货和合同价格在 4Q25 和 1 月/2 月显著上涨。
• 512Gb NAND 晶圆现货和合同价格自 10 月 25 日至 1 月上涨了 +40-50%，2 月仍上涨 +20-25%。

研究结论

• 全球内存周期上行周期可能持续到 2026-27 年。
• HBM 市场预计将继续创下纪录的高收入，2026 年销售额预计为 600 亿美元（同比增长 74%）。
• 高性能 GPU 和 AI 加速器的发布将为 HBM 带来新的上行空间。
• 全球内存指标在 2025 年 12 月回升至上行周期水平，主要受 DRAM 现货反弹、DRAM 账单/ASP（同比增长 +84%/+44%）和 NAND 账单/ASP（同比增长 +44%/+48%）以及韩国出口强劲（同比增长 +20%）的推动。
• 1 月早些时候的股票反弹主要由内存芯片短缺主题以及三星（1Q 结果乐观、对 HBM4 上行空间的高乐观情绪、在传统 DRAM 中相对较高的敞口）、SK 海力士（ADR，在 HBM4 中占据主导地位）和南亚科技（12 月/1 月月度销售额创纪录；同比增长 +445%/+608%）推动。
• 预计全球内存销售额将在 2026 年翻一番，达到 2920 亿美元，ASP 增长 +84%，比特增长 +19%。
• NAND 销售预计在 2026 年将增长 +89%，ASP 增长 +57%，比特增长强劲 (+21%)。