三星电子预计将在本月开始向英伟达量产并出货这是业界

不过，据报道三星在英伟达全部HBM4需求中的份额仅为“中20%”范围。 三星的HBM4拥有业界最高的性能（工作速率为每秒1.7吉比特），也是第一个通过质量（qual）测试的。 三星电子预计将在本月开始向英伟达量产并出货——这是业界首次。 不过，据报道三星在英伟达全部HBM4需求中的份额仅为“中20%”范围。 三星的HBM4拥有业界最高的性能（工作速率为每秒1.7吉比特），也是第一个通过质量（qual）测试的。 那么为什么三星在英伟达配额中的预计份额仍落后于仍在进行最终qual测试的SK海力士（中50%范围）？ 我们试图回答这一近期在市场上日益受到关注的问题。 据半导体行业消息人士9日透露，英伟达在去年12月暂定将HBM4的供货量分配给三星电子、SK海力士和美光——SK海力士约占中数50%多一点、三星约占中数20%多一点、美光约占20%。 英伟达在认证测试尚未完成前就分配供货量是有原因的：由于HBM的生产需“超过六个月”，必须提前将产量分配给供应商，以确保今年下半年配备HBM4的新款人工智能加速器Vera Rubin能稳定量产。 据称，这些分配考虑了与HBM供应商多年的交易历史、各公司HBM4的生产能力，以及通过认证测试的可能性。 对HBM4技术实力的验证感到满意……三星的盈利能力最大化策略三星约20%的市场份额被评为“令人失望”。 但其背后有原因。 首先，是三星自身的策略。 三星将一切投入到证明其在今年开始放量的HBM4市场上的竞争力——本质上是一种“在技术上全押”的策略。 这体现在将4nm代工工艺用于基底晶片（HBM4的“大脑”）以及将10nm第6代（1c）DRAM用于核心晶片（基本构建模块）。 虽然4nm基底晶片并非像2nm那样最前沿，但它仍属于先进代工层级。 而1c DRAM目前是可用的最先进DRAM产品。 与使用较旧12nm代工工艺和10nm第5代（1b）DRAM的竞争对手相比，三星的HBM4不可避免地具有更高的生产成本。 良率是另一个因素。 尽管半导体行业近期有报道称HBM4的1c DRAM良率已显著改善，但仍不及竞争对手的1b DRAM，后者已达到更高的工艺成熟度。 根据与客户的合同条款（晶圆级交付与单颗芯片级交付），影响有所不同，但一般而言，较低的良率意味着较低的盈利能力。 产能也仍然不足。 作为HBM4基础构件的1c DRAM的产能约为每月7万片晶圆，约占三星总DRAM产能的10%。 尽管公司最近已开始扩建平泽厂区的第4号厂，但产能要到一年后才能提升到约19万片晶圆。 制造HBM4还需要将GPU与HBM功能合为一体的“尖端封装”，这一工艺进一步减少了存活芯片数量。 从三星的角度看，即使想要更多生产HBM4，目前也做不到。 商品DRAM价格已升至HBM3E水平……盈利能力更高对HBM3E 12 层产品的需求依然强劲，这类产品将在今年上半年成为市场主流。 三星在去年9-10月左右通过了英伟达的HBM3E 12层认证测试，但据报道实际出货量并不大。 相反，据称三星正收到来自博通（该公司与谷歌的AI加速器TPU等共同设计）等厂商的大量“HBM3E 12层”订单。 对三星而言，削减使用10nm第四代（1a）DRAM的HBM3E 12层产能并全力转向HBM4，几乎没有任何动力。 用于服务器、移动设备和个人电脑的高毛利商品DRAM价格正在飙升。 根据全球投行高盛的数据，今年商品DRAM价格约为每千兆位（Gb）1.25美元，折合每吉字节（GB；1 GB = 8Gb）约10美元。 这与当前HBM市场主流的HBM3E（第五代HBM）12层产品的价格相差不远。 由于商品DRAM不需要像HBM那样的最先进封装，其盈利能力（毛利）据称远高于HBM。 对于在DRAM方面相较竞争对手拥有超过1.2倍产能优势的三星来说，以“首次向英伟达出货HBM4”的头衔来证明其技术复苏，同时将重心放在更有利可图的大宗DRAM业务上，被视为理性的选择。 英伟达也需要SK海力士从英伟达的角度看，三星的强势表现是个好消息，但公司可能判断将更大份额分配给长期密切合作的SK 海力士，是更“稳妥”的选项。 据报道，SK海力士在认证测试过程中取得进展。 对于承诺将在下半年在其新型AI加速器Vera Rubin中大规模部署HBM4的英伟达来说，拥有最大HBM产能的SK海力士能够提供的稳定供应至关重要。 话虽如此，将来的变数确实存在。 如果某个供应商的HBM4无法提供足够的性能，英伟达就无法接受这些产品。 这并非没有先例：去年，当三星多次未能通过英伟达对HBM3E 12层的认证测试时，分配给SK海力士和美光的份额随之增加。 最近有报道称，美光在向英伟达交付HBM4时遇到困难，因此有预测称三星的份额可能上升到高达30%。