东芯股份机构调研纪要

调研日期: 2026-02-02 东芯半导体成立于2014年，总部位于上海，致力于成为领先的存储芯片设计公司，为全球客户提供服务。作为一家Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，专注于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的设计、生产和销售，并是国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。 1、公司在DRAM产品方面有怎样的规划? 答:公司研发的 DRAM产品主要包括 DDR3(L)系列与 LPDDR 系列。 DDR3(L)是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品,具有高带宽、低延时等特点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求,自主研发的 LPDDR1/2/4X 系列产品具有低功耗和高传输速度等特点,最大时钟频率可达2133MHz(LPDDR4X),适用于智能终端、可穿戴设备等产品。目前海外大厂正在逐步退出利基型 DRAM 市场,供给侧正在发生结构性变化。公司正积极在海内外布局利基型 DRAM 产能,以把握潜在的市场机遇。我们预计随着市场供需格局的演变,利基型DRAM产品价格有望持续攀升。 2、存储产品国产化的进度达到了什么阶段? 答:在国家信息安全和供应链自主可控的战略驱动下,存储芯片的国产化替代浪潮正澎湃汹涌。过去几年,国际贸易环境的变化深刻凸显了 构建自主存储产业链的极端重要性。我国作为全球最大的电子产品生产国和存储芯片消费市场,存储芯片的自给率却长期处于低位,存在巨大的国产替代空间。国家层面持续加大政策扶持力度,从资金、技术、市场等多维度为本土存储企业提供了前所未有的发展契机。 3、存储市场的竞争格局方面公司有看到哪些变化? 答:三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量3D NAND Flash 以及 HBM 和 DDR5,并普遍实施了减产或产能调控策略。这一趋势导致其对SLC NAND Flash、利基型 DRAM 及 DDR4等传统细分市场的投入与供给逐步减少。这一系列操作进一步加剧了DDR4 市场的供需失衡状况,从而推动价格持续攀升;另一方面,低容量eMMC 也随着海外厂商退出MLC NAND 市场导致货紧价扬,这一变化正加速电视机、安防、销售点终端、机顶盒等应用终端向更高容量的存储方案升级。随着海外大厂的陆续退出,以及国产化需求的不断提高,公司在相关领域的市占率有望持续提升,迎来良好的发展契机。 4、公司的存储器产品主要针对哪些下游领域? 答:公司针对各类主营存储产品,持续实施产品更新迭代策略,为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。 5、砺算目前进展如何? 答:上海砺算主要从事多层次(可扩展)图形渲染 GPU 芯片的研发设计,2025 年首款自研 GPU 芯片"7G100"首次流片成功,已有显卡交付客户,目前产品量产及销售拓展等工作正在正常开展中。