存储行业专家交流20260118

一、英伟达Vera架构与Context Memory Platform技术解析 –英伟达在CES 2026发布“Vera”新一代GPU架构，核心升级为引入大模型推理优化计算单元，配套推出“ContextMemory Platform（CMP，推理上下文内存平台）”，本质是芯片内部介于L2 Cache与HBM之间的高速缓存层级，工作频率接近SRAM且密度更高。 –第一代CMP单chiplet集成容量96MB，整颗GPU封装后约1.5GB，采用台积电SoIC-V3D堆叠SRAM技术，堆叠层数12层（较上一代多4层），提升对嵌入式存储（eSRAM）及近存 计算结构的设计要求。 – CMP不减少外部HBM依赖，因支持更长上下文长度（已达1M tokens）推高内存配置需求，Vera架构旗舰型号将搭载至少180GB HBM3E（较GH200的144GB提升约25%），HBM需求 持续强劲。 存储行业发展趋势核心内容 一、英伟达Vera架构与Context Memory Platform技术解析 –英伟达在CES 2026发布“Vera”新一代GPU架构，核心升级为引入大模型推理优化计算单元，配套推出“ContextMemory Platform（CMP，推理上下文内存平台）”，本质是芯片内部介于L2 Cache与HBM之间的高速缓存层级，工作频率接近SRAM且密度更高。 –第一代CMP单chiplet集成容量96MB，整颗GPU封装后约1.5GB，采用台积电SoIC-V3D堆叠SRAM技术，堆叠层数12层（较上一代多4层），提升对嵌入式存储（eSRAM）及近存 计算结构的设计要求。 – CMP不减少外部HBM依赖，因支持更长上下文长度（已达1M tokens）推高内存配置需求，Vera架构旗舰型号将搭载至少180GB HBM3E（较GH200的144GB提升约25%），HBM需求 持续强劲。 二、AI推理驱动下的存储分层演进与KV Cache存储新范式 –大模型Transformer架构的QKV机制导致KV Cache容量随输入文本长度线性增长，早期存放于HBM引发紧缺，行业探索将其卸载至其他介质的技术路径。 –软件层面已有YottaDB、RocksDB等数据库系统承接KV Cache负载；英伟达BF4平台明确每个GPU支持upto16TB外部存储用于KV Cache扩展，推动高端UFS、SSD对高耐久低延迟NAND的需求上升。 –服务器端出现基于CXL连接的持久内存模块部署趋势，用英特尔Crow Pass或美光X100等3D XPoint替代方案承载KV Cache，促进混合存储架构发展。 三、NAND市场新增量测算：AI数据中心拉动比例或达15%~20% –英伟达Vera架构作为参考设计被全球CSP厂商广泛采纳，AI数据中心基础设施正经历标 准化重构。 –每个GPU后端实际部署按8~12TB存储配置，2025年全球AI GPU出货量预计200万片，直接新增NAND需求16~24 exabytes，占全球NAND总供应量约2%~2.5%。 –计入训练临时数据、CSP备货、冗余扩容等，2025年AI数据中心带动的NAND需求增量预计不低于15%~20%，2026年Blackwell平台铺开后或进一步上升。 四、HBM成为DRAM核心战略产品，原厂资源向其高度倾斜 – HBM是三星、SK海力士、美光的战略级产品，因低延迟、高带宽优势与GPU位置紧密， 与其他存储层级互补，需求“越大越好”。 – HBM良率低、单位产能消耗更多晶圆，未来五年预计占三大原厂DRAM收入的50%，资本开支重点集中于 HBM3E及HBM4量产爬坡，常规DRAM扩产节奏放缓。 –原厂按GPPW（每晶圆毛利最大化）原则配置资源，HBM单位利润远高于DDR4/DDR5， 优先级最高，企业级应用次之，消费级最低。 五、存储市场供需格局：短期无新增产能，三年内难缓解失衡 – 2021~2022年存储价格崩盘后，原厂连续亏损，过去四年资本开支压至最低，无新建工厂计划；全球新建半导体厂需3~5年周期，目前无原厂宣布新产能扩张。 –现有产能信息均为2025年8月前决策，当前仅提高稼动率；需求回升叠加AI驱动订单超 订严重，预计未来三年内供需失衡无法缓解。 – 2025年上半年NAND与标准DRAM供给增速放缓，Q2起中高端UFS、企业级TLC/QLC SSD可能供不应求，合约价Q1末企稳回升，Q2进入温和上涨通道，以结构性机会为主。 六、国内外市场需求分化：北美领先布局，国内加速追赶 –北美CSP自2024年Q2加大AI基础设施投入，采购前置，采用1nmDRAM、176L+NAND及HBM3E；中国大陆CSP资本开支滞后，2024年下半年释放订单，技术路线以1z nmDRAM、128L NAND为主，HBM尚处验证阶段。 –国内受东数西算工程和智算中心建设推动，2025年服务器出货量同比增速预计超5%（全球平均约18%），但高端颗粒获取受限，HBM和GDDR6依赖进口或第三方模组商。-数据中心设计理念差异：美国推进高密度解架构，16T/32T SSD成主流；中国偏好松散RAP架构，8T以上SSD导入节奏落后。 七、存储价格趋势：结构性分化，“局部超级周期”特征明显 – 2025年“超级周期”实为“局部超级周期”，仅覆盖AI相关、服务器级、高带宽、高密度产品线；HBM、16T/32T企业级SSD在北美市场价格持续高位甚至上涨。 –消费类存储（手机、PC用DRAM/NAND）涨价传导不畅，终端厂商采购保守；中国市场客 户价格敏感，原厂提价空间有限，二线厂商现出货压力。 –非AI相关传统存储产品2025年下半年或面临回调压力，AI训练规模扩大间接拉动通用型 存储回暖的拐点尚未到来。 八、产业链重构：原厂直供主导，模组厂商生存空间被压缩 –晶圆紧缺，原厂按GPPW原则优先分配给HBM等高毛利产品，不再主动向模组厂出售wafer，过去下行周期卖wafer维持稼动率的模式逆转。 –未来3~5年仍将缺wafer，原厂无意扶持模组生态；美光等原厂“All in AI”，战略性退出低 端市场，仅保留头部客户生态所需基本产品线。 九、Norflash价格上涨：结构性产能再分配所致 –台厂（华邦、旺宏）将Norflash的12英寸晶圆及部分8英寸旧线产能转向毛利率更高的eMMC/MCP生产，导致中低密度Serial NOR（128Mb以下）供给收紧。 –车载、工控、通信等领域对高可靠性Norflash有刚性需求，叠加全球Norflash旧产线逐步退场、新投资稀少，价格迅速上涨，预计紧平衡持续至2026年上半年。 十、技术演进与未来趋势：3D DRAM为十年计划，短期依赖现有架构优化 –行业出现技术路线“倒退”，原厂推迟研发，部分低端产品（如DDR3）因供应紧张或成本 过高被重新启用，属短期应对。 –新型存储介质（FeRAM、PCM）缺乏标准化与second source支持，推广困难；短期内行业依赖软件手段对现有NAND精细分层管理，SLC NAND受重视。 – 3D DRAM技术处早期阶段（十年计划），短期内无颠覆性新产品落地；先进封装、存算一体等方向需结合数据中心实际部署节奏推进。