一、昇腾 950 芯片核心架构分析
- 封装结构：采用“四芯片封装”结构，中间两个计算芯片，左右各一个I/O芯片，通过CoWoS-L技术互联，上下搭载8颗自研HBM/内存芯片。
- 内存连接：自研HBM通过封装载板连接，而非硅中介层，与传统GPU封装不同。
- 关键性能参数：FP16算力约800 TFLOPS，支持FP8算力，峰值约1 PFLOPS；互联带宽大幅提升，依赖独立的I/O芯片。
- 产品路线图：950PR搭载第一代自研HBM“白露”（等效HBM2e），950DT搭载第二代“朱雀”（目标等效HBM3）；后续960、970芯片将持续提升性能，对标英伟达B100/B200系列。
二、自研HBM（定制化HMC）技术解读
- 本质：定制化HMC，通过封装载板连接内存堆叠，物理距离较HBM更远。
- 采用原因：供应链自主可控、散热与功耗优化、成本考量。
- 技术路线：第一代“白露”8颗堆叠，每颗16GB容量，带宽204GB/s；第二代“朱雀”预计6/8/12层堆叠，目标等效HBM3。
三、与国内外芯片对比及竞争策略
- 与英伟达对比：昇腾910C与H100性能相当，950、960、970将通过多代产品追赶B100/B200系列。
- 竞争策略：强调系统性思维，提升互联带宽和内存带宽，而非单纯比拼算力。
- 应对H200挑战：发展超大规模集群，依赖交换芯片提升竞争力。
四、产业链影响与投资机会分析
- 芯片制造与封装：计算芯片消耗先进制程产能，多层堆叠HBM/HMC封装利好相关设备厂商；载板需求提升。
- 存储产业链：存储颗粒由国内厂商代工，封装测试环节利好多层堆叠封装厂。
- 市场空间：预计2025年国产GPU放量，HBM/HMC需求启动，百万级出货量将带来千万颗级别需求。
五、风险提示
- 内容基于当前信息分析，不构成投资建议，投资者需谨慎决策。
核心结论：昇腾950通过四芯片CoWoS-L封装和自研定制化HMC内存技术，在受限制程条件下以提升互联与内存带宽为突破口，走系统级性能优化路线。对国内半导体产业链的先进封装、封装材料、载板、存储制造与封测等环节产生实质性拉动，标志着国产高端AI芯片及配套存储技术进入新阶段。
