您的浏览器禁用了JavaScript(一种计算机语言,用以实现您与网页的交互),请解除该禁用,或者联系我们。 [未知机构]:大摩上调ASML为首选标的乘DRAM浪潮迎2026财年光明前景 - 发现报告

大摩上调ASML为首选标的乘DRAM浪潮迎2026财年光明前景

2025-11-27 未知机构 α
报告封面

ASML的目标价从975欧元上调至1000欧元,并将其取代楷登电子(CDNS.O)成为新的首选标的。 核心观点随着2025年第三季度财报季结束,摩根士丹利认为ASML在2026和2027 财年的光刻设备需求将保持积极势头,DRAM领域支出表现强劲,晶圆代工厂的支出同样可观;尽管深紫外光刻 大摩上调ASML为首选标的:乘DRAM浪潮迎2026财年光明前景 ASML的目标价从975欧元上调至1000欧元,并将其取代楷登电子(CDNS.O)成为新的首选标的。 核心观点随着2025年第三季度财报季结束,摩根士丹利认为ASML在2026和2027 财年的光刻设备需求将保持积极势头,DRAM领域支出表现强劲,晶圆代工厂的支出同样可观;尽管深紫外光刻(DUV)设备需求有所放缓,但2026财年的利润率仍有望保持良好水平,因此上调目标价并将其列为首选标的。 DRAM需求驱动增长预计DRAM技术迭代将持续推动需求,从1a和1b节点向1/1c节点的转型,会使极紫外光刻(EUV )层数增加,比如1c节点预计将用到5-6层EUV,这会推动光刻密度小幅上升,也凸显了DRAM领域对EUV系统的持续需求;2026财年三星和海力士的需求表现显著,其中三星可能尚未完成2026财年的全部订单,即便其已在ASML的订单积压中占据较多份额(预计有20台以上EUV设备),仍可能在2025年第四季度下达大量订单,而大宗商品DRAM需求回升和市场价格上涨也为这一趋势提供了支撑。 利润率具备韧性尽管DUV销量预计同比下滑(主要受中国市场需求疲软影响),但ASML 2026 财年的利润率仍有望保持韧性:一方面,2026财年EUV设备销量预计增加(摩根士丹利模型中为48台,2025年为41台),将对利润率形成支撑;另一方面,装机基数管理(IBM)业务的利润率预计提升,这得益于服务业务效率改善,以及业务重心从设备升级向服务转移,且随着EUV装机基数扩大,服务业务的利润贡献占比也会提升。 2026财年ASML还将交付更多3600d型号设备(用于台积电3nm工艺)和高数值孔径(High NA)设备(预计2026年交付6台5200b系统,2025年为3台),尽管DUV销量同比下降约6%,但几乎所有产品的利润率都有望同比改善,主要得益于销量和价格的双重提升。 摩根士丹利预计2026财年ASML的毛利率为52.3%,较2025财年下降40个基点,这一表现也体现了其在DUV市场低迷年份的利润率管控能力。 中国市场需求预期ASML表示2026财年中国市场销售额将大幅下滑,按欧元计降幅在15%-20% 之间,这一不确定性部分源于二线厂商的需求变化;但摩根士丹利认为该预期存在一定保守性,维持2026财年中国市场销售额同比下降约15%的预测,且长鑫存储可能存在额外的设备支出需求,或将对这一降幅形成缓冲。 英伟达业绩带来积极联动英伟达公布2025年第三季度创纪录营收,CEO黄仁勋提及市场对Blackwell架构产品的需求“超乎预期” ,并将2025财年第四季度营收指引上调至650亿美元(市场预期为618亿美元),其中GB300机架占第三季度Blackwell总需求的三分之二。 英伟达还预计,到2026年底Blackwell和Rubin架构相关产品的总需求规模有望超过此前提到的5000亿美元,近期沙特阿拉伯、Anthropic等客户的新增订单也为其提供了支撑。 这一趋势将间接推动2026-2027财年晶圆代工厂对ASML设备的需求,同时AI芯片中高带宽内存(HBM)的使用也会提振DRAM需求;此外,台积电为英伟达扩建3nm产能的计划,可能在2026年启动设备安装,这意味着ASML将迎来新的EUV设备订单(包括3600d型号),而这部分需求尚未体现在ASML 2025年第三季度的订单中。 估值与评级调整摩根士丹利调整了对ASML的盈利预测,重申“增持”评级并将目标价从975欧元上调至1000 欧元;在装机基数管理业务利润率方面,预留了EUV服务协议变化的调整空间,为DRAM厂商新增了1套EUV设备需求模型,并认为该领域需求或存在进一步上行空间;台积电的EUV设备订单预计维持在20台出头,反映了对N3、N2和A16产能扩建的预期,而受中国市场需求同比下降15%的影响,DUV设备需求整体预计下滑。 综合来看,公司营收和每股收益(EPS)预测小幅上调,且近期股价下跌使ASML成为具有吸引力的投资标的,因此将其列为欧洲半导体板块的首选标的。 ASML行业周期与市场情绪分析ASML此次经历的下行周期已持续14个月(2024年7月至2025年9月),远超此前8-10 个月的周期长度,主要受关税、贸易摩擦和出口管制变化带来的地缘政治不确定性影响;而2024年的下行周期则源于台积电以外的英特尔、三星等晶圆代工厂支出疲软,以及订单积压势头放缓,叠加中国市场占比过高(2024年第一、二季度占总销售额的49%)引发的投资者担忧,还有对光刻密度下降和价格压力的顾虑。 目前,市场对光刻密度和价格压力的担忧已基本消退,尽管长期来看光刻密度或存在下行压力,但2026财年预计会出现小幅上升趋势,且台积电采用计算光刻技术也有望推动EUV设备平均售价(ASP)上涨。 2025年夏季以来,市场情绪出现转变,积极因素陆续显现:特斯拉采用三星晶圆代工生产AI芯片、英伟达和软银投资英特尔等事件,为中远期订单前景带来上行风险;而大宗商品DRAM价格上涨、三星HBM3e和HBM4技术取得进展,印证了“内存超级周期”的到来;台积电业绩表现稳健、英伟达为Rubin架构转向A16工艺等消息,也标志着ASML的盈利重估周期正式开启。