英伟达计划在新一代GPU芯片的先进封装中采用12英寸碳化硅衬底，将CoWoS封装中介层材料由硅替换为碳化硅，最晚于2027年导入。此举旨在提升散热效能和缩小封装体积，SiC中介层的热导率比硅高出2-3倍，且耐化学性更好，有助于解决散热问题并缩小封装尺寸。
成本分析：
- NVIDIA H100售价2.5-3万美元，成本约3000美元，毛利90%。
- CoWoS封装成本占比25%，约750美元；硅中介层成本约25美元，BOM占比0.83%。
- 12英寸碳化硅衬底市场价约2万美元/片，远期价格有望低于8000元/片，单片中介层成本约380元，BOM占比1.77%，对GPU成本影响微乎其微，未来有望全面替代硅中介层。
- 2024-2026年需求分别为7600片/月、16600片/月和22400片/月，年需求约2.17-26.88万片。
应用驱动：
- AI眼镜：Ray-Ban Meta智能眼镜销售额同比增长逾两倍，预计2025年出货量近400-500万副。碳化硅光波导技术可提升视场角、简化结构并降低成本，带动上游衬底需求。
- 储能系统：特斯拉Megapack3采用碳化硅技术，系统往返效率达93.7%。50GWh工厂满产后，SiC MOSFET需求量达432万-864万颗。
- HVDC数据中心：英伟达将从2027年开始向800V HVDC数据中心过渡，需大量碳化硅/氮化镓器件（6500V-650V规格），推动上游材料需求。
结论：
CoWoS中介层+SiC储能系统+AI眼镜+HVDC四重驱动将带动上游碳化硅衬底材料需求全面爆发，建议关注国内碳化硅衬底材料龙头厂商。
