科技最确定增量CoWoS中介层SiC储能系统AI眼镜HVDC四重驱动S

9月2日，据行家说三代半公众号援引中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，其Rubin处理器的开发蓝图中，为了提升效能，计划把CoWoS先进封装环节的中介层材料，由硅换成碳化硅，其最晚将在2027年导入。 SiC中介层优势：1）导热率更高：英伟达 科技最确定增量：CoWoS中介层+SiC储能系统+AI眼镜+HVDC四重驱动，SiC需求有望迎来全面爆发 9月2日，据行家说三代半公众号援引中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，其Rubin处理器的开发蓝图中，为了提升效能，计划把CoWoS先进封装环节的中介层材料，由硅换成碳化硅，其最晚将在2027年导入。 SiC中介层优势：1）导热率更高：英伟达GPU芯片的功率越来越大（HopperH200700W→BlackwellB2001000W→BlackwellUltraB3001400W），散热要求越来越高，单晶SiC 是一种具有高导热性的半导体，其热导率比硅高出2-3倍，有望为CoWoS封装提供新的散热解决方案；2）缩小封装体积：与硅中介层相比，单晶SiC还具有更好的耐化学性，因此可以通过湿法刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS封装的尺寸，2.5D封装的效果堪比3D封装。 价格方面：NVIDIAH100的售价高达2.5-3万美元，其成本约为3000美元，毛利约90%。 CoWoS封装成本占比为25%，约为750美元（折合人民币5354元），英伟达8GBHBM2的硅中介层成本约为25美元（折合人民币178元），BOM占比仅为0.83%左右。 现阶段12英寸碳化硅衬底市场价约为2万美金一片，远期12英寸SiC中介层晶圆的价格有望低于8000元RMB/片，对应单片中介层价格为380元，GPU芯片BOM占比分别为1.77%，对GPU成本影响微乎其微，未来有望全面替代硅中介层。 如果采用8倍光罩尺寸的中介层，2024-2026年的需求分别为7600片/月、16600片/月和22400片/月。 换算成年产能，则2024-2026年的需求约为2.17-26.88万片。 XRVision9月6日消息，依视路陆逊梯卡（EssilorLuxottica）在7月底发布的最新财报中透露，Ray-BanMeta智能眼镜的销售额同比增长逾两倍。 如果继续延续这一增长趋势，那么RaybanMeta2025年全年出货量或可达近400-500万副。 碳化硅材料的的光波导应用于AI眼镜中可以实现更大的视场角和结构更简单的全彩显示，可减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，并显著提升用户体验，AI眼镜的需求增长有望带动上游碳化硅衬底材料的需求增长。 特斯拉发布SiC储能系统，50GWh工厂对应MOS需求量432万-864万颗。 特斯拉在拉斯维加斯举行的美国RE+展上发布了两款新产品，分别是Megapack3电池组和Megablock大型储能单元，Megapack3采用了碳化硅技术，达93.7%的系统往返效率，也确保了电能在存取过程中的最低损耗。 据“行家说三代半”估算，特斯拉美国休斯顿工厂产能为50GWh，如果满产则对应的SiCMOSFET需求量则高达432万颗至864万颗。 英伟达力推数据中心800V革新，需要大量碳化硅/氮化镓。 此前在5月20日，英伟达在其官网宣布，“从2027年开始，英伟达将率先向800VHVDC数据中心电力基础设施过渡。 同一天，英飞凌也宣布，他们正与英伟达合作，开发基于全新架构的800V高压直流（HVDC）系统，英飞凌将该系统提供硅、碳化硅和氮化镓器件解决方案。 据行家说三代半消息，这次电源架构的革新将需要采用大量的碳化硅和氮化镓器件，规格包括6500V、3300V、2300V、1200V和650V的碳化硅器件，以及650V和1200V的氮化镓器，上游材料端有望受益。 CoWoS中介层+SiC储能系统+AI眼镜+HVDC四重驱动有望带动上游碳化硅衬底材料的需求的全面爆发，建议关注国内碳化硅衬底材料龙头厂商。