宏微科技机构调研纪要

调研日期: 2025-08-29 江苏宏微科技股份有限公司是一家由具有多种专项技术的科技人员组成的国家重点高新技术企业,也是国家高技术产业化示范工程基地、国家IGBT和FRED标准起草单位,还是江苏省博士后创新基地和江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。该公司在电力电子产品研发和生产方面有着多年的经验,致力于为客户提供高品质的产品和服务。 问:公司2025年上半年整体经营情况如何? 答:今年上半年,公司实现营业收入 6.8 亿元,同比增长 6.86%;实现归属于上市公司股东的净利润 297.80 万元,同比增长 18.45%;扣除非经常性损益后归属于上市公司股东的净利润为-18.39 万元,亏损同比大幅收窄93.96%,主营业务盈利能力显著改善。主营业务毛利率15.75%同比有一定幅度提升。 问:各业务板块收入结构及增长驱动是什么? 答:工业控制领域业务保持稳健增长,实现收入同比增长27.34%,占主营业务收入约49%,是公司业绩的重要支撑;新能源发电领域受益于下游市场需求回暖及公司在储能客户的积极拓展,收入同比增长22.43%,占比提升至33%;新能源汽车领域受行业价格竞争 影响,营收占比约为18%。公司正积极灵活调整产品结构,替代加速以SiC产品的导入和推广,为后续恢复增长蓄量。 问:2025年上半年公司研发投入和技术创新方面有哪些进展? 答:公司持续加大研发投入,2025 年上半年研发投入共计 5,856.61 万元,同比增长 8.64%,占营业收入的比重提升至8.61%,且研发人员团队总数达220人,其中硕士、博士学历人员占比超过20%。公司上半年在IGBT、FRD、尤其是SiC、GaN等核心领域持续取得重点突破,包括:公司的 1200V 40mohm SiC MOSFET 芯片、1200V 13mohm SiC MOSFET芯均已通过可靠性验证;自主研发的SiC SBD芯片已经通过多家终端客户可靠性和系统级验证,产品已形成批量出货;自研GaN 650V 75mohm芯片成功完成内部验证并进入客户导入阶段,产品研发工作的开拓未来将为公司的 AI 服务器电源业务和人形机器人等高增长市场打开空间,进一步强化公司在宽禁带半导体技术路线的战略竞争力。 问:控股子公司在新能源汽车SiC器件方面有何重大进展? 答:近期,控股子公司芯动能获得国内头部新能源汽车客户的 SiC MOSFET器件定点通知,确定其为供应商。该客户系国内领先的高端自主品牌车企,随着后续订单的顺利转化,将进一步扩大公司在SiC产品领域的配套份额,预计将对公司经营业绩产生积极影响。截至目前,公司控股子公司针对该新能源汽车头部企业客户的定点项目,尚未签订正式销售合同。合同签署时间及履约安排尚存在不确定性,后续公司将根据相关的法律法规要求,结合项目实际的进展情况,及时履行信息披露义务。 问:公司在战略合作与产业布局方面有哪些重要举措? 答:今年上半年,公司围绕"一体两翼"发展战略持续深化布局:"一体即持续夯实硅基IGBT主营业务,服务好现有核心客户;"两翼"则指重点布局SiC和GaN业务,积极拓展新型应用场景。在战略合作方面,公司多项举措取得实质性进展:公司与华虹宏力签署为期五年的战略合作备忘录,双方围绕 IGBT、FRD 等核心产品展开联合开发,推动工艺迭代与平台优化,此次合作升级,有助于进一步夯实公司上游产业 链的自主可控能力;公司与合肥综合性国家科学中心能源研究院携手,共建"功率器件可靠性评测与寿命预测实验室",致力于提升功率半导体产品在高温、高功率等苛刻环境下的可靠性;公司与国家怀柔能源实验室签署战略合作协议,聚焦SiC芯片及模块在新型电力系统中的应用;与瀚海聚能开展联合探索,前瞻性布局功率半导体在直线型核聚变装置中的应用场景。这些扎实的布局和突破,为我们下一阶段的技术迭代与市场开拓奠定了坚实基础,也将持续转化为公司未来发展的核心动能。 问:针对当前的竞争格局,公司有哪些核心竞争力,自身有哪些优势? 答:在当前的市场竞争环境下,公司主要有以下先发优势: (1)客户优势 公司与行业头部客户深度绑定、多行业多品类覆盖、定制化与快速响应能力强、产能与技术协同稳定,已形成"高粘性+高拓展"的客户结构。公司客户优势显著,其客户结构优质,工业控制、新能源发电、新能源汽车、充电桩等领域多为头部或细分龙头客户,且获多家知名 客户"优秀供应商"或"重要供应商"认可;客户粘性高,通过提供器件到系统解决方案及标准品与定制品并行服务,与头部客户深度技术绑定;供应链与技术协同为客户优势提供有力支撑,既与华虹宏力深度合作保障技术迭代和供货稳定,又有多家代工、封测伙伴降低风险;整体而言公司以产品与定制化解决方案为内核、供应链协同为底座,通过大客户战略形成份额与口碑正循环,为多赛道持续放量奠定基础。(2)技术优势 经过多年技术沉淀与积累,公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片单管及模块的设计、封装与测试领域突破多项核心技术,构建起全面的技术体系。在芯片领域,不仅掌握微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT 芯片设计及制造技术,软恢复结构、非均匀少子寿命控制等 FRD 芯片设计及制造技术,以及高可靠终端设计等高压 MOSFET芯片设计及制造技术,更在高压技术领域形成差异化优势,可满足不同场景下对高压功率半导体器件的高性能需求;同时,公司积极联合国内顶尖科研院所开展产学研合作,通过技术协同创新持续攻克芯片设计与制造中的关键难题,加速前沿技术的产业化落地。 (3)"一体两翼"战略布局 公司以成熟的Si基功率半导体业务为"一体",凭借多年技术沉淀在IGBT、FRD等芯片、单管及模块的设计、封装与测试领域优势显著产品广泛应用于工业控制、新能源发电、新能源汽车等多领域,为公司营收与市场地位筑牢根基。在此基础上,公司积极推进以SiC和GaN为代表的第三代半导体"两翼"发展: SiC 领域:已实现多项关键突破,核心芯片通过可靠性验证,部分产品小批量出货,自研车规模块工艺及光伏用模块获头部客户认可,后续将加快产品验证与交付,进一步拓展新能源汽车高压平台、新能源发电、数据中心电源等场景的应用。 GaN 领域:自主研发的核心芯片完成内部验证并进入客户导入阶段,将依托其性能优势,开拓AI服务器电源、人形机器人驱动等市场通过"一体两翼"战略,公司既巩固了Si基产品的多元布局优势,又加速推进第三代半导体产品落地,持续提升核心竞争力,实现功率半导体市场的全面、多元发展。 问:近期,公司有股东频繁进行大宗交易,具体是什么原因? 答:针对投资者近期询问公司频繁存在大宗交易的情况,经公司与有关原始股东沟通了解,近期公司的大宗交易系个别原始股东基于个人的财务性安排,将持有的股份通过大宗交易转入其资产管理计划,并非出于减持目的,属于资产管理行为。 问:公司未来的再融资计划是什么,如何考虑资本开支? 答:公司作为聚焦功率半导体领域的高新技术企业,未来再融资计划将紧紧围绕"深耕功率器件核心技术、拓展高附加值应用场景"的布局,结合行业趋势、资本市场政策及市场环境动态研判,审慎使用再融资工具,确保资金与研发、产能建设、市场拓展等核心需求精准匹配,兼顾股东利益与长期价值,严控财务风险。资本开支则以"技术驱动、效益优先"为原则,重点投向 IGBT、SiC、GaN等关键功率器件技术研发、核心领域产能扩建与智能化升级产业链协同及市场渠道拓展,同时通过精细化预算管理与动态效益评估,保障投入高效支撑业务增长,推动公司在功率半导体赛道稳健经营高质量发展。