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北方华创:2025年半年度报告

2025-08-29 财报 -
报告封面

北方华创科技集团股份有限公司 2025年半年度报告 2025年8月 第一节重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人赵晋荣、主管会计工作负责人李延辉及会计机构负责人(会计主管人员)崔卉淼声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。 公司存在的风险详细内容见本报告“第三节管理层讨论与分析”——“十、公司面临的风险和应对措施”,敬请广大投资者注意。 公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。 目录 第一节重要提示、目录和释义........................................................................................................................2第二节公司简介和主要财务指标...................................................................................................................7第三节管理层讨论与分析.................................................................................................................................10第四节公司治理、环境和社会........................................................................................................................26第五节重要事项....................................................................................................................................................30第六节股份变动及股东情况............................................................................................................................41第七节债券相关情况..........................................................................................................................................48第八节财务报告....................................................................................................................................................49第九节其他报送数据..........................................................................................................................................150 备查文件目录 一、载有公司法定代表人签名的2025年半年度报告原件。 二、载有公司法定代表人、总裁、主管会计工作负责人及会计机构负责人签名并盖章的财务报表。 三、报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 四、其他相关资料。 释义 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司简介 二、联系人和联系方式 三、其他情况 1、公司联系方式 公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化适用不适用 公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化,具体可参见2024年年报。 2、信息披露及备置地点 信息披露及备置地点在报告期是否变化适用不适用 公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址,公司半年度报告备置地在报告期无变化,具体可参见2024年年报。 3、其他有关资料 其他有关资料在报告期是否变更情况适用不适用 四、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据是否追溯调整或重述原因同一控制下企业合并 五、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 适用不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 六、非经常性损益项目及金额 适用不适用 适用不适用 公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 适用不适用 公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目的情形。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 北方华创专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,电子工艺装备包括半导体装备、真空及新能源装备。电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。北方华创始终坚持科技创新,不断推动产品迭代升级,积极拓展产品应用领域,以满足快速发展的市场需求。 在半导体装备业务板块,北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备,广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。北方华创借助产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势,以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。 在真空及新能源装备业务板块,北方华创深耕高压、高温、高真空技术,主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等,广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域,为新材料、新工艺、新能源等绿色制造提供技术支持。 在精密电子元器件业务板块,北方华创推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展,主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等,广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域,为客户打造高端精密电子元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。 1、半导体装备 (1)刻蚀设备 刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备,通过物理或化学作用选择性去除材料以形成微观结构。其中,ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术,通过高频线圈激发反应气体生成高密度等离子体,在低工作气压下实现快速刻蚀,其优势在于离子能量与通量独立控制,可优化各向异性刻蚀能力,适用于硅、金属、氮化镓等材料的精细结构加工。CCP刻蚀设备采用电容耦合方式产生等离子体,通过调节射频功率和气体配比实现高刻蚀速率,其特点在于适应宽泛的工艺窗口,对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著,常用于存储芯片的深孔和沟槽结构。去胶设备通过等离子体活化氧气或氩气,分解光刻胶残留并转化为挥发性产物,其核心优势在于无化学污染、处理效率高。高选择性刻蚀设备通过优化气体组合和脉冲等离子体技术,可实现超高刻蚀选择比,精准去除目标材料而不损伤掩膜层,主要用于精细结构释放、堆叠层间实现选择性刻蚀等工艺。Bevel刻蚀设备采用定向等离子体轰击晶圆边缘,消除薄膜沉积不均匀导致的边缘缺陷,在12英寸晶圆制造中用于晶背清洁,防止铜互连断裂。 根据权威机构数据,2024年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为16.8%,全球市场规模约1,350亿元人民币。北方华创在刻蚀设备领域,已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的全系列产品布局。2025年上半年,公司刻蚀设备收入超50亿元人民币。 (2)薄膜沉积设备 薄膜沉积设备作为半导体制造的核心装备,通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、外延生长(EPI)、原子层沉积(ALD)、电镀(ECP)及金属有机化学气相沉积(MOCVD)等技术,在基底表面精准构筑纳米级功能膜层。其中,物理气相沉积以磁控溅射为核心技术,通过氩离子轰击靶材形成金属等离子体,在半导体中用于阻挡层和金属互连层沉积。化学气相沉积通过气相化学反应生成固态薄膜,主要用于氧化硅、氮化硅等介质薄膜沉积。外延生长通过气相反应在单晶基底上生长同质/异质材料薄膜。原子层沉积以单原子层逐次沉积实现纳米级精度,满足逻辑 和存储等制程高深宽比填充的需求。电镀设备利用电解反应沉积金属,专用于集成电路和先进封装中的铜互连及微凸点制作。金属有机化学气相沉积通过金属有机物热分解生长化合物半导体,配备精密气体混合系统和快速热退火模块,实现多种化合物材料的外延。 根据权威机构数据,2024年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为23.0%,全球市场规模约1,850亿元人民币。北方华创在薄膜沉积设备领域,已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。2025年上半年,公司薄膜沉积设备收入超65亿元人民币。 (3)热处理设备 热处理设备是半导体制造中用于调控材料性质的核心装备,通过精确控制温度、时间及气体环境,实现氧化、扩散、退火等工艺,主要包括快速热处理(RTP)、立式氧化退火炉等类型。快速热处理设备采用热源辐射加热,实现超快温变速率,适用于超浅结激活和金属硅化物形成。立式氧化退火炉以垂直石英管为核心,通过电阻丝加热在氮气/氧气混合氛围中生长介质薄膜,广泛应用于栅极氧化层制备和离子注入损伤修复。 根据权威机构数据,2024年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.8%,全球市场规模约230亿元人民币。北方华创在热处理设备领域,已形成了立式炉和快速热处理设备(RTP)的全系列布局。2025年上半年,公司热处理设备收入超10亿元人民币。 (4)湿法设备 湿法设备是半导体制造中保障晶圆洁净度的核心装备,通过化学溶液与物理作用的协同效应去除表面污染物,其技术路线涵盖单片清洗、槽式清洗、物理清洗(Scrubber)等多种形式。湿法清洗设备的工作原理基于化学反应(如溶解、氧化)与物理作用(如机械冲刷、超声波振动),利用去离子水、酸/碱溶液及表面活性剂等清洗液,通过浸泡、喷淋或旋转甩干等工艺步骤,清除晶圆表面的颗粒、有机物、金属离子等污染物,确保后续工艺的可靠性。单片清洗设备采用高压喷淋、兆声波或二流体技术,每次仅处理单片晶圆,具备纳米级颗粒去除能力和零交叉污染特性。槽式清洗设备通过多腔体串联浸泡工艺,可批量处理多片晶圆。物理刷洗设备采用机械刷毛与化学液协同作用,通过高速