深耕存储领域，布局先进测试工艺巩固领先地位

深耕存储领域，构建存储封测一体化优势。佰维存储主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，同时围绕半导体存储产业链，已构建研发封测一体化经营模式。主要产品为半导体存储器，主要服务为先进封装测试，其中主要产品分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储，可广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等领域。 需求端：存储价格企稳回升，AI拉动存储器需求增长。嵌入式产品也受原厂部分低容量旧制程NAND资源停产影响导致货源供应紧张，本周低容量eMMC产品价格继续小幅上扬；而行业市场在PC大客户订单相对稳定下整体表现平稳，Wafer受零售市场需求疲软影响，合约价反转下跌。截止至2024年12月24日，DRAM指数为478.02，NAND指数为616.44。随着人工智能技术的迅速发展，AIPC(人工智能个人计算机)的概念逐渐走入公众视野。这类产品不仅具备传统计算机的所有功能，还融合了AI技术，能够进行复杂的数据分析、智能助手服务以及网络安全等多重应用。由于AIPC的计算需求普遍较高，对内存和存储的要求也随之提升。随着AI耳机、AI眼镜、AIPC等产品的不断涌现，NOR Flash的市场需求显著增加。Nor Flash产品也在2024年上半年开始试探性涨价，价格涨幅在10~15%之间。 供给端：国产芯片替代加速，存储解决方案厂商渗透率提升。全球存储芯片行业竞争激烈，三星、美光和SK海力士是主要的头部企业，占据市场主导地位，专注于DRAM和NAND闪存等存储技术的研发与生产。这些企业在高性能存储、数据中心及消费电子领域广泛应用。中国企业如长江存储和兆易创新等正迅速崛起，推动自主创新，缩小与国际巨头的差距。中国DRAM产能已超过全球产能的11%。长鑫存储已迅速增加其DRAM产能，从2022年每月5.7万片晶圆增加到2024年第四季度的21万片/月，并预计到2025年底将达到30万片，占全球产能的15%。存储芯片作为AI存力的组成部分，最先受益的莫过于HBM，如今DeepSeek带来的AI推理应用大爆发，将带动主流存储芯片品类真正的市场机会。以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂依托中国市场广阔需求，市场份额逐步增长。随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，以佰维存储为代表的半导体存储器研发封测一体化厂商也迎来了发展机遇。 维持“买入”评级：公司专精于半导体存储器领域，布局了嵌入式存储（eMMC、UFS、LPDDR、eMCP、ePOP、uMCP、BGA SS D等）、固态硬盘（SATA/PCIe）、内存模组（SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、CXL DRAM）、存储卡（SD卡、CF卡、CFast卡、CFexpress卡、NM卡）等完整的产品线矩阵，涵盖NAND Flash和DRAM存储器的各个主要类别。目前公司晶圆级先进封测制造项目正处于建设阶段，预计将于2025年投产，为客户提供整套的存储+先进封装测试解决方案。项目建成后，预计可提供Bumping、Fan-in、Fan-out等先进封装服务。随着存储行业复苏，公司大力拓展国内外一线客户，公司实现了市场与业务的成长突破，同时公司各个产品线之间协同合作，产品销量同比有望大幅提升，维持“买入”评级，预计公司2024-2026年归母净利润分别为1.76亿元、5.98亿元、7.64亿元，EPS分别为0.41元、1.39元、1.77元，对应的PE为190X、56X、44X。 风险提示：技术革新风险，宏观经济环境变动风险，原材料价格波动风险，客户集中度较高的风险，品牌授权业务相关风险。 1.深耕存储领域，构建存储封测一体化优势 1.1深耕存储领域，“5+2+X”战略驱动公司稳健发展 公司成立于2010年9月，2022年12月于上海证券交易所成功上市。公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品为半导体存储器，主要服务为先进封测服务，其中半导体存储器按照应用领域不同又分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储等。公司紧紧围绕半导体存储器产业链，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域，是国家级专精特新小巨人企业、国家高新技术企业。 1）2010-2015年（初步发展阶段）：2010年佰维存正式成立。先进全自动SSD固态硬盘生产线投产使用，能够产出满足市场初步需求的SSD产品，为公司后续发展奠定了基础。被评选为国家高新技术企业，技术研发和创新实力得到国家认可。 2）2016-2018年（市场拓展阶段）：获得惠普SSD及内存产品独家品牌授权，产品推广至更广泛的国际市场，公司知名度和产品市场占有率进一步提高。泰来科技（原惠州佰维）成立，专注存储器封测及SIP封测服务，进一步完善公司产业链布局，提高公司在封测领域的专业化水平和产能保障。 3）2019-2021年（资质升级阶段）：佰维BIWIN旗下首款国产SSD——CK001系列正式量产入市。佰维CK001系列实现了NAND颗粒、主控、固件算法、封装测试全流程国产化，为国产存储生态再添生力军；推出全新C端消费类品牌佰维，为消费者提供场景化定制存储解决方案；获得国家专精特新“小巨人”企业资格认定；子公司泰来科技（原惠州佰维）一期全面投产；推出逼近封装极限的超小eMMC，产品广泛应用于智能手机、平板电脑等移动端设备，满足市场对小型化、高性能存储产品的需求。 4）2022-2023年（上市创新阶段）：2022年12月底公司于上交所科创板正式上市。2023年子公司芯成汉奇成立，通过子公司优化公司业务结构，实现业务专业化、精细化发展，提高公司整体运营效率及市场应变能力。推出最新一代LPDDR5/5X，对下一代便携电子设备的性能产生巨大提升，并实现市场稳定供应。同年11月，晶圆级先进封装制造项目落地东莞松山湖高新区，项目落地有利于公司产品实现更大宽带、更高速度、更灵活的异构集成以及更低功耗，赋能移动消费电子、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网等应用领域的客户。此外，公司在存储器先进封测领域掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，能够为NAND、DRAM芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持。 5）5+2+X中长期战略：公司2023年年报指出，公司以前瞻性的战略思维和严谨的市场洞察为基础，制定了一套能够有效驱动公司稳健发展的中长期“5+2+X”战略。“5”代表公司聚焦五大应用市场(手机、PC、服务器、智能穿戴和工车规)，其中在手机、PC、服务器等三大主要细分市场着力提升市场份额与核心竞争力，力争实现与更多一线客户的深度合作；在智能穿戴和工车规市场投入战略性资源，力争成为主要参与者。“2”代表公司二次增长曲线的两个关键布局:芯片设计和晶圆级先进封测，芯片设计将为公司打造服务AI时代高性能存储器奠定坚实的技术基础，晶圆级先进封测将构建先进存算合封所需的封装技术基础，确保公司在AI和后摩尔时代的行业竞争力。“X”代表了公司对存算一体、新接口、新介质和先进测试设备等创新领域的探索与开拓。 图表1：公司发展历程图 公司嵌入式存储产品类型涵盖eMMC、UFS、ePOP、eMCP、uMCP、BGA SSD、LPDDR等，广泛应用于手机、平板、智能穿戴、无人机、智能电视、笔记本电脑、机顶盒、智能工控、物联网等领域。公司的PC存储包括固态硬盘、内存条产品，主要应用于电竞主机、台式机、笔记本电脑、一体机等领域。公司工车规存储包括工车规eMMC、UFS、LPDDR、SSD、内存模组、存储卡等，主要面向工车规细分市场，应用于通信基站、智能汽车、智慧城市、工业互联网、高端医疗设备、智慧金融等领域。公司企业级存储有4大类别，分别为SATA SSD、PCIe SSD、CXL内存及RDIMM内存条，主要应用于数据中心、通用服务器、AI/ML服务器、云计算、大数据等场景。公司移动存储包括移动固态硬盘、存储卡等产品，主要应用于消费电子领域，具有高性能、高品质的特点，并具备创新的产品设计。 1.2构建存储封测一体化优势，产业协同促进业务增长 存储器先进封测：NAND Flash存储晶圆技术不断演进，单位空间容量不断提升，但仍不能完全满足新一代信息技术对存储密度的需求。通过多芯片堆叠封装技术，在单位封装体内，集成更多的NAND Flash存储晶圆，能够大幅提高存储器的空间容量密度。因此多芯片堆叠和SiP等先进封测技术亦成为存储晶圆应用技术发展的重点方向之一。 公司拥有资深封装设计和工艺研发团队，全面掌握BGA、Flip Chip、3DSiP等封装设计和工艺技术。公司高度重视芯片可靠性设计，通过多年来在行业标准、用户场景、芯片失效分析等领域不断探索和创新，有能力进行完备的基板级和封装级仿真，包括高速信号完整性（SI）仿真、电源完整性（PI）仿真、电磁兼容性（EMC）仿真、封装翘曲度应力仿真、模流应力仿真、热仿真等。在封装工艺领域，公司不断引进先进封装设备、失效分析设备和芯片可靠性实验设备，大力投入先进工艺研究，攻克了激光隐形切割工艺、超薄Die贴片和键合工艺、Compression molding工艺、FC工艺、CSP工艺、POP、PIP和3DSiP以及封装电磁屏蔽等工艺技术。公司基于上述工艺的创新和组合，使得拥有复杂系统的存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。在封装设计与工艺领域的技术能力布局，让公司能够充分有效整合设计与工艺环节，使得公司存储器产品尤其是嵌入式存储产品实现行业领先的产品创新能力和可靠性。基于上述技术积累，公司成功实现高容量单芯片存储的设计和生产，具备高可靠性、高密度、高性能等产品优势，并荣获“2021年中国IC设计成就奖年度最佳存储器”。同时公司将封装技术与自主固件技术相融合，创新性的开发了一系列“小而精、低功耗、高性能”的特种尺寸存储芯片，如公司推出的超小尺寸eMMC，体积不足传统eMMC的1/3，特别适用于对体积、功耗和可靠性要求较高的可穿戴设备。 晶圆级封测：随着算力需求的日益发展，存储芯片与算力芯片之间的瓶颈体现在高带宽和大容量方面，形成了“内存墙”，目前通过2.5D/3DChiplet封装（以下简称“3DIC”）技术可以有效的降低传输线路延迟，提高集成密度，成为解决内存墙的关键。通过3DIC集成后，DRAM容量可以提升8～16倍，功耗可以降低70%以上，带宽可以提高10～20倍。同时异构集成的3DIC已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。3DIC将不同工艺制程、不同性质的芯片以三维堆叠的方式整合在一个封装体内，提供性能、功耗、面积和成本的优势，能够为5G移动、HPC、AI、汽车电子等领先应用提供更高水平的集成、更高性能的计算和更多的内存访问。 公司于2023年11月正式落地东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目（该项目主体公司为公司控股子公司广东芯成汉奇），旨在打造大湾区先进封测的标杆。公司晶圆级先进封测制造项目正稳步向前推进，构建了完整的、国际化的专业晶圆级先进封装技术团队，团队成员均具备在国际知名半导体企业的工作经验，具有成熟研发和量产经验，为项目的实施定了坚实的基础。项目建成后可以提升大湾区集成电路产业规模和技术水平，为大湾区的集成电路产业发展起到补链和强链作用，有力提升大湾区新质生产力的转换速率。市场对2.5D/3D先进封装服务需求急迫，广东芯成汉奇已经开展了相关技术的开发，包括：多层高密度线宽RDL技术、小间距uBump、TSV开口硅基晶圆级转接板处理技术以及3D堆叠等先进封装技术。在设计层面公司搭建了适应于3DIC的信号、电源完整性分析仿真、热仿真、Stress仿真、模流仿真与多物理场仿真工具平台。在工艺层面拟采用