Micron在10nm级DRAM中领先1γDDR5样品已交付给Intel和A

随着内存巨头加大对10nm级DRAM的投入，美光似乎正在获得优势，因为它宣布出货1γ（1-gamma）DRAM。根据其新闻稿，该公司已向Intel和AMD等客户交付了1γ（gamma）DDR5样品。美光表示，其1γ DRAM建立在其1α和1β领先地位的基础上，可以进一步推动云、工业、消费和边缘AI设备（如AI PC 、智能手机和汽车）的创新。另一份ZDNet报告显示，美光的1γ是其第6代10nm级DRAM，线宽为11-12nm，将于今年量产。另一方面，韩国内存巨头三星和SK 海力士将该节点称为1c DRAM，如报告中所强调的那样。据美光称，其基于1γ的DRAM通过提高AI工作负载的性能、使用高K金属栅极CMOS技术降低功耗以及使用EUV光刻和设计优化将位密度提高30% 来解决关键挑战。根据美光的说法，16Gb DDR5产品旨在提供高达9200MT/s的速度能力，与前代产品相比，速度提高了15%，功耗降低了20%以上。 值得注意的是，据TechNews报道，美光的1γ DRAM目前主要在其日本工厂生产，该工厂于2024年安装了该公司的第一台EUV设备。随着生产规模的扩大，美光计划在其位于日本和台湾的晶圆厂增加更多的EUV设备。与此同时，三星和SK海力士也正准备将第6代10纳米级DRAM商业化。MoneyToday在之前的报告中透露，SK海力士计划最早在2月份使用1c工艺 量产DRAM，最近已经完成了1c DDR5的量产认证。另一方面，据MoneyToday报道，据报道，三星正在对1c DRAM设计进行调整，并计划在2025年6 月之前完成。