核心观点与关键数据
存储芯片是集成电路的重要组成部分，分为RAM、ROM、Flash等类型，其中DRAM、NAND Flash、NOR Flash市场份额分别约为57%、40%、2%。存储芯片市场空间巨大，目前规模超1500亿美元，预计未来将占半导体市场的50%。
行业竞争格局
存储芯片行业呈现IDM模式为主流的特点，美光、三星、SK海力士、东芝等巨头占据主导地位。2023年DRAM市场，三星和SK海力士合计占据67%份额；NAND Flash市场，两者共占49.5%。中国厂商长江存储、合肥长鑫等正通过技术投入逐步缩小差距，长江存储Xstacking技术已达232层堆叠，合肥长鑫则落后两节技术点。
技术水平对比
- NAND Flash：长江存储232层堆叠与海外龙头相当，SK海力士已验证128层4D NAND；合肥长鑫技术落后。
- DRAM：美光量产1α工艺（12-10nm），合肥长鑫仍处17nm工艺；HBM方面，合肥长鑫HBM2e落后海外两节。
产业链短板
国内存储芯片产业链存在设备依赖问题，EUV光刻机、前道量测设备国产化率低。
投融动态
存储芯片行业呈现逆周期投资特征，2023年下半年价格上行带动国内厂商加大资本开支。融资事件虽少但金额较大，大基金三期等政策支持存储芯片扩产，新型存储和供应链配套企业受资本关注。
未来展望
- 市场需求：互联网和AI技术推动存储需求爆炸式增长，HBM、SSD等新型存储技术成为增长点。
- 政策支持：国家出台资金、税收等政策支持本土企业，国产化率将进一步提高。
- 供应链优势：中国完整电子供应链和庞大消费市场为存储芯片发展提供基础，国产化导入具有合理性。
研究结论
来觅研究院认为，在政策支持和产业链整合加速下，存储芯片行业将迎来发展机遇，国产化率有望持续提升。
