积技以培风，以IGBT/SiC大翼将图南

http://www.huajinsc.cn/1/59请务必阅读正文之后的免责条款部分2024年06月11日公司研究●证券研究报告斯达半导（603290.SH）深度分析积技以培风，以IGBT/SiC大翼将图南投资要点斯达半导聚焦于IGBT模块/SiC为主的功率半导体领域，成功研发出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块，实现进口替代。其中IGBT模块产品超过600种，电压等级涵盖100V-3300V，电流等级涵盖10A-3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。受益于汽车电气化持续推进，汽车电子成为半导体领域逆势增长代表，800V平台架构下对SiC功率电子器件需求增长明显，为公司提供中长期强劲增长动力开启第二成长曲线。技术领先&多领域覆盖，打开新能源汽车/风光储/工控需求增量。斯达半导优势在于IGBT模块，主要覆盖新能源汽车/风光储和工控领域。2013年斯达半导开始专注新能源汽车IGBT模块的研发，目前其IGBT电压等级涵盖范围为100V-3300V，率先实现第七代IGBT产品的研发。（1）车规IGBT模块合计配套超200万套主电机控制器，欧洲一线Tier1开始大批量交货。2023年，公司应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器，公司在车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高；公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V车规级IGBT模块大批量装车，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的1200V车规级IGBT模块新增多个800V系统车型的主电机控制器项目定点，将对2024年-2030年公司新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力。（2）风光储/工控：风光储业务快速增长，产品在北美等海外市场批量装机，工控领域已为多家国际企业正式供应商。公司已是国内多家主流光伏逆变器、风电逆变器企业主要供应商，并且与头部企业建立了深入战略合作关系，继续发挥技术领先优势为客户提供更高功率、更高效率解决方案。基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在地面光伏电站和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；1200V、650V大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能，处于行业领先地位。在工业控制领域，公司已为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应商，已是工控行业多家国际企业正式供应商。五大优势加速SiC上车，率先卡位打造第二增长极。SiC上车可提供助力实现系统小型化，增大汽车可用空间；导通及开关损耗减少，从而续航里程增加；减少汽车重量，有利于轻量化；承受输入功率大，电机扭矩更大，加速能力强；降低电池成本提升续航里程，降低整车成本等五大优势。受益于汽车电气化的持续推进，汽车电子成为半导体领域逆势增长的代表，800V平台架构下对SiC功率电子器件需求增长明显。受益于中国新能源汽车厂商近年来持续投放新车型，销量同步快速增长的双核驱动，正带动本土SiCMOS供应商市占率稳步提升，仅比亚迪、极氪、吉利银河、蔚来、理想、赛力斯这几家车企，新能源乘用车SiCMOS主驱功率模块的国产化率已由2021年的31.89%提升至24Q1的65.57%。随着各品牌车企合作车型的上市和交付，斯达半导等国内厂商的市占率有望进一步提升。斯达半导作为国际领先功率器件厂商，在SiCMOS领域具有先发优势，2023年，公司应用于新能源汽车主控制器的车规级SiCMOSFET模块大批量装车应用，同时新增多个使用车规级SiCMOSFET模块的800V系统主电机控制器项目定点，将对公司电子|集成电路III投资评级买入-A(维持)股价(2024-06-07)88.13元交易数据总市值（百万元）21,095.93流通市值（百万元）21,095.93总股本（百万股）239.37流通股本（百万股）239.3712个月价格区间235.98/87.37一年股价表现资料来源：聚源升幅%1M3M12M相对收益-2.13-16.3-33.96绝对收益-4.65-15.48-40.81分析师孙远峰SAC执业证书编号：S0910522120001sunyuanfeng@huajinsc.cn分析师王海维SAC执业证书编号：S0910523020005wanghaiwei@huajinsc.cn报告联系人宋鹏songpeng@huajinsc.cn相关报告斯达半导：全年业绩稳健增长，产品持续放量同时新增多个项目定点-华金证券-电子-斯达半导-公司快报2024.4.8 深度分析/集成电路IIIhttp://www.huajinsc.cn/2/59请务必阅读正文之后的免责条款部分2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。募投项目有望于24年达使用状态，拓展高压功率/SiC器件，转向Fabless+IDM模式。2021年公司以非公开发行形式实际募集资金净额34.77亿元，用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化/SiC芯片研发及产业化/功率半导体模块生产线自动化改造等项目。项目完成后，1）加快高压特色工艺功率芯片领域的布局，丰富公司产品线，满足智能电网、轨道交通、风力发电行业对高压功率芯片的市场需求；2）向碳化硅芯片研发及产业化领域拓展，从而达到优化产品结构，完善产品布局的目的；3）预计形成年产30万片6英寸高压特色工艺功率芯片/年产6万片6英寸SiC芯片生产能力，新增年产400万片的功率半导体模块生产能力。投资建议：考虑到新能源汽车/发电等领域下游客户端竞争加剧，致使上游厂商利润承压，我们调整对公司原有预测。预计2024年至2026年营业收入由原来的48.35/61.89/77.05亿元调整为45.22/52.56/61.76亿元，增速分别为23.5%/16.2%/17.5%；归母净利润由原来的12.00/15.26/19.07亿元调整为9.66/11.29/13.02亿元，增速分别为6.1%/16.9%/15.3%；对应PE分别为21.8/18.7/16.2倍。考虑到斯达半导是国内IGBT模块龙头且技术迭代处于国内领先水平，率先卡位SiCMOS开启第二增长极，新能源汽车/风光储/工控等下游应用蓬勃发展打开IGBT/SiCMOS需求增长空间，叠加预计24年非公开发行项目投产对下游市场供货保障能力提升。维持“买入”评级。风险提示：产品结构单一风险；新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险；产线建设及投产后收益不及预期风险；新能源汽车市场波动风险；下游需求不及预期风险。财务数据与估值会计年度2022A2023A2024E2025E2026E营业收入(百万元)2,7053,6634,5225,2566,176YoY(%)58.535.423.516.217.5归母净利润(百万元)8189119661,1291,302YoY(%)105.211.46.116.915.3毛利率(%)40.337.532.733.132.8EPS(摊薄/元)3.423.804.044.725.44ROE(%)14.314.213.514.214.7P/E(倍)25.823.221.818.716.2P/B(倍)3.73.33.02.72.4净利率(%)30.224.921.421.521.1数据来源：聚源、华金证券研究所 深度分析/集成电路IIIhttp://www.huajinsc.cn/3/59请务必阅读正文之后的免责条款部分内容目录1、斯达半导：国际IGBT模块领先企业.............................................................................................................71.1发展历程：深耕IGBT领域，第七代微沟槽车规模块大批量装车..........................................................71.2股权架构：股权结构相对集中，实控人专业背景背书............................................................................81.3科研能力：核心技术团队稳定，研发人员占比达24%.........................................................................101.4产品矩阵：以IGBT模块为主，多领域广泛应用..................................................................................101.5经营概况：经营管理卓尔不群，新能源为主要收入领域......................................................................112、IGBT：技术领先&多领域覆盖，打开新能源汽车/风光储/工控需求增量.....................................................162.1行业综述：IGBT=MOSFET+BJT，为电力电子行业“CPU”...............................................................162.2技术分析：沟槽栅+场截止系划时代技术组合......................................................................................182.3市场追踪：国内IGBT总产能将达341万片/年（等效8寸），厂商货期持续回落...............................222.3.1规模：26年全球IGBT规模有望突破80亿美元，22年斯达半导模块进入全球前十................232.3.2供需：24年中国IGBT产量预计超7,500万只，自给率或达40%............................................252.3.3现状：24Q1货期持续回落，价格保持稳定...............................................................................262.4应用详解：新能源领域快速发展，打开IGBT应用市场.......................................................................272.4.1新能源汽车：新能源汽车增量带动汽车IGBT需求，25年规模有望达370亿元.......................282.4.2新能源发电：风光储发展带动IGBT需求空间增长....................................................................312.4.3工控及白色家电：25年工控IGBT有望达170亿元，变频家电对IPM需求日益增长...............382.5公司优势：提供多领域解决方案，车规IGBT为欧洲Tier1批量供货..................................................403、SiCMOSFET：五大优势加速SiC上车，率先卡位打造第二增长极..........................................................423.1行业综述：28年全球SiC市场规模有望达90亿美元，汽车占比超70%........................................