全球碳化硅衬底市场规模预测及行业竞争格局分析
市场概览
- 特点优势:碳化硅衬底凭借其禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特性,成为突破传统硅基半导体器件物理极限的关键材料,适用于高压、高温、高功率、高频等环境下的新一代半导体器件开发。
市场规模预测
- 导电型:预计2024年全球市场规模将达到约9.07亿美元。
- 半绝缘型:预测同期市场规模将增长至约3.26亿美元。
尺寸趋势
- 主流尺寸:当前碳化硅衬底尺寸包括2英寸、3英寸、4英寸、6英寸和8英寸,其中4英寸及6英寸为主要量产尺寸,而8英寸仍处于研发阶段。
- 发展方向:行业整体趋势为向更大尺寸发展以提升效率和降低成本。
行业竞争格局
- 技术门槛:碳化硅衬底材料制备技术难度高,全球能大规模供应高品质、车规级碳化硅衬底的企业数量有限。
- 国内领先:国内厂商中,天岳先进在8英寸衬底领域取得了显著进展,通过液相法成功制备了无宏观缺陷的8英寸衬底,这是行业内的创新成果。
结论
碳化硅衬底市场展现出强劲的增长潜力,特别是在汽车电子、电力电子等领域需求的推动下,预计未来几年市场规模将持续扩大。同时,随着技术的进步和成本的优化,碳化硅衬底的尺寸将不断向大尺寸方向发展,这将对提高生产效率和降低制造成本产生积极影响。国内企业在这一领域的技术创新和市场布局值得关注,特别是天岳先进在8英寸衬底上的突破,标志着国内企业在高端碳化硅衬底材料领域的技术实力已逐渐增强。
以上总结基于提供的文字内容,详细阐述了全球碳化硅衬底市场的市场规模预测、尺寸趋势以及行业竞争格局,并强调了国内厂商在这一领域的技术进步和市场地位。
中商产业研究院2024-05-15 16:13
中商情报网讯:碳化硅衬底具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。中商产业研究院发布的《2024-2029年中国碳化硅衬底行业市场前景预测与发展趋势研究报告》显示,2023年全球导电型和半绝缘型碳化硅衬底的市场规模分别达到6.84亿美元和2.81亿美元。中商产业研究院分析师预测,2024年全球市场规模将分别达到9.07亿美元和3.26亿美元。
碳化硅衬底的尺寸主要有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)等规格,碳化硅衬底正不断向大尺寸的方向发展,目前行业内企业主要量产产品尺寸集中在4英寸及6英寸,8英寸处于研发阶段。碳化硅衬底材料制备具有极高的技术门槛,目前全球能够规模化供应高品质、车规级碳化硅衬底的企业数量较少。国内厂商中,天岳先进前作为国内碳化硅衬底领军者,在8英寸衬底层面取得显著进展和成果,其用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底是业内首创。