
Q1:ICP 技术领域内,国内厂商的竞争格局如何? A1: 在 ICP(Inductive Coupled Plasma) 技术领 域,由于技 术门槛相对较低,竞争异常激烈。过去三年间, 国内厂商排名经历了一系列变 化,其中北方华创、中微公司、鲁汶仪器和北 京屹唐脱颖而出,成为行业内的佼佼者。鲁汶 仪器特别值得一提,它敏锐地捕捉到了北方华 创与中微公司尚未充分覆盖的市扬空隙,加大 了对 ICP 高难度工艺的研发投入,成功抢占了 更多的市场份额,展现了其在策略布局上的独到之处。 Q2:中微公司在国产刻蚀设备领域的地位如何?国产 CCP 技术的发展现状怎样? A2:中微公司在国产刻蚀设备领域占据着无可争 议的领先地位,其技术实力和市场占有率 均显示出明显优势。另一方面,北方华创在 CCP (Capacitive Coupled Pla CCP 设备尚无法完全满足存储芯片制造的高端技术需求,这也是国产设备亟待突破的难 关。 Q3:国产刻蚀设备与海外设备的技术差距体现在哪些方面?市场需求如何? A3:国产刻蚀设备在核心技术如 ESC(Endpoint Detection System ) 与电源系统方面与国际先 进 水平存在差距,大致落后 2-3 代。市场需求层 面,国内晶圆厂的快速扩产为国产刻蚀设 备提 供了广阔的市场空间。然而,在存储芯片制造 这一细分领域,国产设备在先进工艺上 的不足 限制了其市场应用,表明在提升技术工艺水平上仍有很长的路要走 Q4:国产刻蚀设备零配件的国产化程度如何?哪些领域是投资的重点? A4: 当前,国产刻蚀设备零配件的国产化率较 低,不足 50%,尤其是在关键零配件方面,国产化进程缓慢。投资方向上, ESC 系统和电源系 统被视为重点。例如,华卓和君原两家公司在 ESC 系统的开发上展示出良好的发展前景;而对 于射频电源,尽管当前国产水平不 高,深圳恒 运昌公司因其潜力被寄予厚望,有望在这一领域实现突破。 Q5: 美国对零部件的出口限制对国产刻蚀设备的影响有多大? A5:虽然美国对关键零部件的出口限制不断升 级,但由于目前 5 纳米以下先进工艺的应用 场景相对有限,大部分国产部件已经能够覆盖约 80%的常规使用场景,因此美国的限制措 施并未对国产刻蚀设备的发展构成致命打击。但这依 然警示国内厂商需要加快核心技术的自主研发,减少对外依赖。 Q6: 原子层刻蚀技术的现状与未来挑战是什么? A6:原子层刻蚀技术已经投入实际应用,但其未 来发展面临原材料供应 不稳定、成本控制以及 技术持续创新等挑战。从客户需求出 发,无论 是 ICP 还是 CCP 技术,未来的技术发展方向将 聚焦于提高功率水平,实现超低温 与超高温处 理能力,以满足更精密、更复杂的半导体制造需求,这将是国产设备厂商持续努力的方向。