激光芯片行业领军，平台化能力多领域开拓

深耕激光芯片行业，研发推动成长。长光华芯当前核心产品为激光芯片，是国内高功率半导体激光芯片龙头（全球份额13.88%），并逐步往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸。依托对光信号的深刻理解和处理能力，公司也积极向VCSEL芯片、光通信芯片等品类横向扩展。公司坚持研发导向，研发费用率保持在20%以上，公司拥有多名国家级人才工程入选者和行业资深管理和技术专家以及4位院士组成的顾问团队等，公司研发技术队伍中硕士博士占比超过50%。 高功率半导体激光芯片国产替代空间大，激光雷达、光通信、可见光等光芯片市场巨大。1）公司半导体激光芯片主要用在工业激光器领域，下游国产替代率不断提升，带动上游芯片国产化需求，2020年半导体激光芯片全球市场规模约18亿元；2）激光雷达VCSEL芯片：2022年作为激光雷达上车元年，行业步入高速发展阶段，根据Yole数据，预计2022年VCSEL市场规模约16亿美元，展望2027年，车载领域是发展最快领域（复合增速超90%）；3）光通信：AI驱动高速光模块需求快速释放，根据Omdia数据，2025年高速光芯片市场规模有达到43.40亿美元；3）可见光领域：蓝绿光激光器作为光纤激光器外新增产品，带动下游应用创新。从氮化镓基情况来看，2020年其在光电领域应用市场规模超过200亿元。 IDM模式和量产优势确保公司竞争优势，VCSEL、EML等产品打开成长空间。 光芯片IDM（即垂直整合制造，是集芯片设计、制造、封装、测试和销售等多产业链环节于一体的运作模式）是行业主流模式，进入壁垒高，公司是国内少有的具备IDM全流程能力的公司，高功率激光器芯片已获得锐科激光、创鑫激光灯头部客户的认可。新产品线进展顺利：1）VCSEL系列产品已通过16949质量体系认证，与国内众多一线激光雷达厂商建立合作关系；2）光通信领域：完成了单波100GEML芯片发布；3）可见光领域：加速布局蓝绿光激光器芯片。 盈利预测与估值：短期外部需求波动影响公司利润释放，但公司产品线规划明晰，后续成长空间大，预计2023-2025年归母净利润1.01/1.32/1.85亿元（-15%/+31%/+40%），对应PE分别为142/108/77倍。首次覆盖，暂未给予投资评级，公司作为激光芯片优质企业，建议关注。 风险提示：激烈竞争导致产品价格下降、毛利下滑的风险；疫情反复等因素影响生产；下游市场需求不及预期。 盈利预测和财务指标 平台型的国产激光芯片领先厂商 深耕激光芯片行业，研发推动成长 长光华芯成立于2012年，公司主要定位高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与3D传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售。 经过在激光芯片行业近十年发展，公司已经成长为国内激光芯片行业的领先厂商。 回顾公司的发展历程，可分为以下三个阶段： 阶段一（2012-2015年）技术储备阶段：该阶段公司刚刚成立，重点放在对于核心技术团队的建设和前期技术储备上，服务于国家战略高技术产业和科研市场。 公司在该阶段完成了高能激光芯片、模块、阵列、系统等产品的量产。 阶段二（2016-2018年）产业化推动阶段：该阶段，公司基于前期的技术积累，开始将产品从科研等市场推向需求更广泛的工业市场，如提出和推行 976nm 光纤激光器泵浦方案等，并在2018年成立VCSEL事业部和激光系统事业部，实现公司应用领域横向和纵向延伸。 阶段三（2019年-）规模量产和产品提升阶段：该阶段，基于前期的布局和市场推广，公司多项产品进入规模量产阶段，并不断推出性能更优的高功率半导体芯片。横向拓展方面，公司推出VCSEL面发射半导体激光芯片并导入lnp光通信芯片制造工艺和产线。 图1：长光华芯发展历程 公司核心产品是半导体激光芯片，并进行产品领域扩充和延伸。公司聚焦半导体激光行业，核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。 图2：长光华芯主要产品 核心管理团队技术沉淀深厚，研发驱动长期成长。公司身处的半导体激光行业属于技术密集型行业，对技术人员的依赖程度较高，公司一直保持对于研发的高度重视，当前公司拥有一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才工程入选者和行业资深管理和技术专家以及4位院士组成的顾问团队等，公司研发技术队伍中硕士博士占比超过50%，团队多次获得各级部门重大创新团队和领军人才殊荣。 公司管理团队具备深厚的技术背景，如董事长闵大勇先生目前作为高级工程师，具有多年激光行业管理经验，常务副总经理王俊先生研发并掌握了外延、镀膜、封装、老化测试等核心技术，领导公司实现以芯片为主的产业化等等。 表1：长光华芯管理层具备深厚技术背景 股权结构分散无实控人，管理层人员间接持股。公司股权结构较为分散，无控股股东和实际控制人。目前第一大持股股东为苏州华丰投资中心，持股比例为14.14%，而第二大持股股东为苏州英镭，苏州英镭为公司核心管理层的持股平台，闵大勇、王俊、廖新胜、闵大勇、潘华东均持有一定比例，确保了核心人员与公司利益有一定绑定关系。华为控股的哈勃投资在2020年12月通过增发入股，成为公司的战略投资者，目前持股比例为2.87%。 图3：长光华芯股权结构图（截止2023年6月） 激光芯片为支点，IDM模式下横纵领域快速拓展 公司具备IDM全流程和量产能力。长光华芯拥有半导体激光芯片设计、外延生产、晶圆制造、芯片加工及封装测试等全流程工艺技术，并依靠技术积累成功实现了高功率半导体激光芯片的产业化，成功跑通了IDM模式，成为国内少数能够研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。公司核心技术包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术、封装技术及高亮度合束及光纤耦合技术等。这些核心技术成为公司继续实现产品的重要基数。 图4：长光华芯核心技术 “一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略凸显公司平台化属性。针对未来发展，公司提出了“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略，其中“一平台”是指以公司与苏州高新区政府共建的苏州半导体激光创新研究院为平台；“一支点”是指公司已具备高功率半导体激光芯片的核心技术及全流程制造工艺；“横向扩展”是指公司将产品应用领域拓展至消费电子、激光雷达等； “纵向延伸”是指产品从单纯的半导体激光芯片纵向延伸至激光器件、模块及直接半导体激光器。 平台化能力推动公司可实现光芯片种类和应用不断扩张。公司目前在高功率激光器芯片领域已经成为领先厂商，并重点朝着VCSEL芯片（汽车/激光雷达）、光通信（lnp材料体系）、可见光领域（激光显示）等领域进行横向布局，不断打开公司长期可触达市场空间。 我们认为公司提出横纵拓展策略的背后实则体现出依托于底层具备的研发迭代基础以及较快的产业化落地能力，公司可根据不同场景给出快速产品反馈，凸显平台化属性。 图5：长光华芯“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略 高功率单管系列营收占比超80%，VCSEL系列开始进入兑现阶段。当前公司营收主要集中在高功率单管系列、高功率巴条系列和高功率VCSEL系列三部分，根据最新公开数据，2022年公司高功率单管系列实现营收3.45亿元，营收占比89.54%，高功率巴条系列实现营收0.30亿元，营收占7.78%，高功率VCSEL系列处于起步阶段，营收占比较低。 根据2021H1披露数据，从下游应用领域来看，单管系列主要应用在工业领域，巴条系列主要应用在科研领域。 图6：公司2022年营收拆分情况（占比） 图7：2021H1公司单管和巴条系列应用领域营收分布（百万元） 技术推动营收增长，盈利能力提升 2018-2021年公司营收保持快速增长，收入基本均来自核心技术产品。2022年受新冠疫情及经济环境不确定性增加等因素影响，下游设备投资需求受到一定抑制，客户订单减少，造成公司营收出现小幅下滑。 2018-2021年，公司营收保持了快速增长，基本均来自核心技术产品，可以看出技术实力已经成为公司收入增长的核心驱动力。 图8：公司营收及同比增速 图9：公司收入基本均来自核心技术产品 规模效应推动公司盈利能力提升。公司盈利能力提升体现在毛利率和净利率两方面。1）毛利率：公司业务的基础产品为激光芯片，并在此基础上进行延伸，对于芯片业务，随着生产规模的增加和良率提升，公司单位产品制造成本逐步降低，同时公司通过导入新产线使得单位材料成本降低，带动整体毛利率逐步提升（2018年公司毛利率为30.97%，2022Q3毛利率提升至48.80%）。 图10：2018-2022长光华芯毛利率情况 净利率方面，除了毛利率提升外，随着营收规模提升，公司销售费用率、管理费用率得到降低（公司销售方式直销为主，2019年主要因为股权激励费用支付管理费用明显增加），同时前期的研发投入得到转化，度过了大额投入阶段，因此研发费用率也呈现出逐步下降趋势。毛利率提升叠加期间费用率下降，公司净利率实现逐步提升（2018年公司净利率为负，2022Q3提升至29.89%。 图11：公司盈利能力提升 图12：公司费用率持续降低 募投资金加快公司产能释放和创新领域产品进展。公司上市共募集资金13.48亿元，用于“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”四个项目。其中高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目主要是为了扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产；垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目主要通过对生产基地的建设及配套设备的购置，进行相应产品研发和生产，扩大公司在消费电子、激光雷达及光通信领域的激光芯片输出。 项目建设完成后，满产状态下，预计新增高功率单管芯片产能4875万颗，高功率巴条器件产能5万个，高功率模块产能32.5万个，VCSEL芯片产能7000万颗，光通讯芯片0.7万片。高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目达产后每年预计带来营业收入11.68亿元，投资回收期6.45年（静态，含建设期）；VCSEL及光通讯激光芯片产业化项目达产后预计带来年营收收入2.88亿元，投资回收期6.17年（静态、含建设期）。 表2：长光华芯募投资金规模及用途（单位：百万元） 新增投资建厂规划，推动2025年后产能规模增加。2022年12月28日公司发布公告，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与苏州科技城管理委员会签订项目投资合作协议，拟在太湖科学城新建先进化合物半导体光电子平台项目；项目总占地面积约31亩，投资总额约10亿元。 该项目计划2023年开工，2025年建成投产，满产预计年产值不低于6亿元。 关于建设内容:该先进化合物半导体光电子平台项目建成后将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器件封测生产线建设）。 光芯片：应用创新，国内实力进阶 电芯片性能趋于极限，光芯片是发展下一站。电芯片和光芯片均属于半导体领域，其中电芯片属于半导体中集成电路部分，光芯片属于半导体中分立器件部分，主要包括各种类型的激光器芯片和探测器芯片。 电芯片以电子为载体，当前电芯片已经有六七十年的发展历史。走到现在，以电子为载体的技术已经趋近物理极限，同时随着电芯片尺寸的降低也会出现功耗等问题，而光芯片是以光子（光速传输且无静止质量）为载体，其具备高速率、强并行性、大带宽、低损耗等优点，有望在规避现有电芯片问题的同时提供更优的性能，因此光芯片有望成为半导体行业未来发展的重点方向。 图13：光芯片和电芯片均属于半导体领域 光芯片下游应用不断创新，