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2023年7月3
日
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中国技术
荷兰额外出口管制的影响
荷兰政府宣布增加半导体出口限制
6月30日（链接）设备，专注于先进芯片制造技术，包括先进的沉积和浸没光刻工具
(EUV;波长<193nm;波长≥193nm，MRF≤45nm和DCO≤1.5nm），这在很大程度上符合预期，并在3月早些时候宣布。
新规则将于2023年9月1日生效。ASML也宣布（链接）新的导出控件仅适用于TWINSCANNXT：2000i及后续
浸没系统,暗示1）对NXT：1980DiDUV的出货量没有影响
14nm或以上工艺的设备和2）对容量扩展没有影响
在中国的成熟工艺（28nm或以上）。在我们看来，新规则是比担心NXT：1980Di的销售也会受到影响更好，我们
相信半设备/铸造厂的本地化将在中国加速供应链安全，推动先进流程突破。
中国技术部门
亚历克斯NG
(852)39000881
alexng@cmbi.com.hk
李汉青
lihanqing@cmbi.com.hk
克劳迪娅·刘
claudialiu@cmbi.com.hk
荷兰的新限制对ASML的业务没有实质性影响。
作为全球领先的光刻设备，拥有80%以上的DUV市场份额，
ASML表示，1）它将需要向荷兰政府申请出口许可证。用于先进的浸没式DUV系统(TWINSCANNXT：2000i和后续浸没系统)，2)它将继续符合出口
法规，包括荷兰、欧盟和美国，3)，预计不会产生重大影响ASML对2023年或更长期的财务展望。总体而言，我们认为它比NXT：1980DiDUV设备的出货量更好
14nm及以上工艺不受影响(假定其DCO≤1.6nm)。
考虑到ASML的沉浸式DUV销售组合为15%，以及中国的曝光率
2012财年的14%，我们预计短期内对ASML收入的影响有限。
对中国铸造厂/IDM产能扩张的影响有限进程。荷兰新出口管制的范围侧重于引导-
边缘工艺（14nm或以下），符合日本/美国的限制。由于用于成熟工艺的设备（14nm以上）不受影响，中国半导体代工厂/IDM可继续采购设备
对于成熟节点制造。我们预计对中芯国际（981HK）的影响有限华虹Semi（1347HK）专注于成熟的流程。
SPE本地化将在中国加速。我们预计最近的出口控制将加速半/SPE在中国的本地化，有利于平台
玩家，如Naura(002371CH)和AMEC(688012CH)，以及行业下面的领导人1）对于DUV，上海微电子(私人)90nmArF
Dry进入量产，28nmArFi正在研发；2)对于ALD，
全球领导者ASMI(55%全球mktshr)将受到影响，中国
领导者，Leadmicro（688147CH），成功批量生产高k原子
28nm的ALD；3）对于CVD/PVD，日本的Tel/KE是主要参与者(20%/10%mktshr)，中国领导人Piotech(688072CH)将受益
在中国15%的低本地化。4)对于硅碳外延，全球
领导者包括意大利容量有限的LPE(30台/年)、德国的
AIXTRON没有中国曝光，日本的Nuflare专注于美国。中国供应商京盛机械（300316CH）开发了8-
英寸单芯片碳化硅外延设备，适用于本地供应链。
V表
相关报告：
1.美国新芯片的含义
对中国的出口限制-102022年10月（链接）
2.美国可能扩大AI芯片出口
限制-2022年9月14日（链接）
3.中芯国际/华虹的含义
2Q22业绩和最近的美国半
名称Ticker
MktCapPrice
市盈率（x
）
P/B(x)ROE
限制-2022年8月15日（链接）
（百万美元）(LC)FY23EFY24EFY23EFY23E
中芯国际 981香港 29167 20.4 16.9 16.6 0.99 8.7
华虹半 1347香港 4273 25.6 10.1 9.5 1.12 11.8
资料来源：公司数据，CMBIGM估计
请阅读最后一页的分析师认证和重要披露1
来自彭博社的更多报告：重新设置CMBR或http://www.cmbi.com.hk
图1：荷兰政府对先进芯片制造设备的出口管制细节(翻译版本)
规则
3B001.l
3B001.m
EUV薄膜
EUV薄膜的生产设备
Content
光刻设备，如下：
a.用于对准和曝光晶片的直接步进晶片或扫描仪设备，使用光电或
X射线方法，具有以下一种或两种：
1.光源波长短于193nm，或
2.光源波长等于或大于193nm：
a.能够产生图案最小可分辨特征尺寸(MRF)为45nm或更小;
and
3B001.f.4b.最大专用卡盘覆盖(DCO)值小于或等于1.50nm。
技术说明:
1.最小可分辨特征尺寸（MRF）根据以下公式计算：
其中K因子0,25;(MRF)与分辨率相同。
2.DCO是在晶片上曝光的现有图案上对准新图案的精确度通过相同的光刻系统。
3B001.d.12
3B001.a.4
3B001.d.19
金属废料的原子层沉积（ALD）设备
a)具有以下所有特征:
1.不止一种金属源，其中一种已开发用于铝（AI）前体；
and
2.原材料容器设计用于45°C以上的温度；和
b.设计用于沉积具有以下所有特征的“步进”金属：
1.碳化钛铝（TiAlC）的沉积；以及
2.“退出工作”高于4.0eV的可能性。技术说明:
1.“金属放电”是调节晶体管的阈值电压的材料。
设计用于硅（Si），碳掺杂硅，硅锗的外延生长的设备
（SiGe）或碳掺杂的SiGe
a)具有以下所有特征:
1.保持多个室和装置，用于高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性工艺步骤之间的气氛（水和氧分压小于0.01Pa）；
2.至少一个设计用于表面处理的预处理室，用于清洁晶圆；和
3.外延沉积工作温度为685℃或以下。
设计用于沉积无空隙等离子体增强的低k电介质的设备小于25nm宽的空间，深度高度比(AR)等于或大于1:1介电常数低于3.3的金属线
3D007
专门为开发、生产或使用本文件中规定的设备而设计的软件
3B001.l.、3B001.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4或3B001.d.19中的规定
3E005开发、生产或使用本文件规定的设备所需的技术
3B001.l.、3B001.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4或3B001.d.19中的规定。
资料来源：荷兰政府官方网站（zoek.officelebekendmakingen.nl/stcrt-2023-18212）
图2：荷兰政府对先进芯片制造的出口管制细节设备（原件）
资料来源：荷兰政府官方网站（zoek.officelebekendmakingen.nl/stcrt-2023-18212）
图3：美国/日本/荷兰半相关出口管制的时间表
已发布
制裁
时间身体文件/
限制
2019荷兰EUV出口管制
主要内容及影响
1）ASML的所有EUV系统被禁止出口到中国
US
Dec.2020Departmentof
Commerce
中芯国际已添加至实体
list
1)限制中芯国际获得某些美国技术的能力，要求美国出口商申请许可证出售给该公司。
2）先进生产半导体所需的独特项目技术节点-10纳米或以下-将受到否认推定
US
2022年10月部门
Commerce
Mar.2023荷兰
美国新芯片出口限制
最先进的DUV
出口管制
1）收紧对16nm/14nm或以下逻辑IC的现有限制
（FinFET或GAAFET）；
2)将限制扩展到存储器IC类别(18nm的DRAM或下面，以及128层或更多层的NAND)；
3）位于中国的外资生产设施将需要逐案申请批准相关设备；
第二条规则：增加了中国的记忆芯片制造商长江记忆以及其他30家中国实体进入“未核实名单”
1）限制销售深紫外线系统光刻系统
2）ASML在一份声明中说，只有他们“最先进”的沉浸光刻工具受出口控制的影响，ASML解释
这是ASML定义为TWINSCAN的“临界沉浸”
NXT：2000i（5-7nm）和后续的浸没系统
2023年5月日本
Jun.2023荷兰
日本的半导体出口限制
额外出口限制
1）日本宣布修订外汇和外汇
贸易法，并将增加23种先进半导体
将设备列入出口管制清单。它将于7月生效两个月通知期后23日；
2)23类包括晶圆清洗、沉积、
热处理、蚀刻和测试。METI指出，设备与极紫外线(EUV)和3D堆叠存储器有关包括在内；
3）3）日本限制的范围集中在前沿进程上
（14nm以下），类似于美国/荷兰的限制
对材料、设备、软件和技术包括：
1)EUV薄膜;
2）EUV颗粒生产设备；
3)下列特定特性的光刻设备;
4)金属废料原子层沉积(ALD)设备;
5)为硅(Si)、碳外延生长而设计的设备-
掺杂硅、硅锗(SiGe)或碳掺杂SiGe；
6)设备设计用于沉积低k电介质
无空隙等离子体在小于25nm宽的空间中没有空隙深度高度比(AR)等于或大于1:1
介电常数低于3.3的金属线；
7)开发、生产的相关软件和技术并使用上述设备。
来源：美国政府，美国国际清算银行，日本政府，荷兰政府，彭博社，路透社，ASML公司文件
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