碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化

AI智能总结

总结如下：

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其高性能和低损耗特性，正逐步取代硅基材料在中高压领域。其优势包括大带隙、高电子迁移率、高热导率和高击穿电场，使得SiC器件在功率、频率、温度和电压方面表现优越，特别适用于新能源汽车、光伏和智能电网等应用。

技术挑战与市场机遇：
- 技术难点：SiC材料的晶体生长、切割和外延生长是当前产业化的关键挑战。
- 市场潜力：随着新能源汽车和光伏需求的激增，预计到2026年，SiC设备市场空间将超过250亿元人民币，其中新增市场空间约48亿元，切片设备市场空间约35.3亿元。
产业链核心环节：
- 衬底与外延：作为产业链的核心环节，SiC衬底的价值量占比达到47%，而外延环节占比23%。晶体生长和切割技术的提升是降低成本的关键。
产能与设备需求：
- 产能规划：预计2026年SiC衬底总产能将达到839.2万片，其中导电型衬底的有效产能约为397.3万片，存在约58.4万片的有效产能缺口。
- 设备需求：这将为切片设备等提供超过251.8亿元的设备市场空间，其中新增设备空间约48亿元。
投资机会：
- 推荐标的：高测股份，已实现高线速碳化硅金刚线切片机的批量销售，并持续推动设备国产化替代。德龙激光和东尼电子也在切割设备、金刚线技术等方面展现出竞争力。
风险提示：
- 碳化硅渗透率增长：碳化硅的广泛应用可能受到市场接受度和成本控制的限制。
- 碳化硅扩产：扩产速度可能受到技术、资金和供应链等因素的影响。