简报重点SiC单管、模组应用于EV，近二年发展快于预期，汽车厂商导入速度加快SiC MOS及二极管主要应用于主电驱、动力驱动及OBC，其中主电驱主要使用SiC模组，并应用在大功率动力驱动，集成度高并使用现成IGBT封装，并将晶片材质改换为SiC作为功能尝试，可更好发挥性能SiC模组依其物理特性及结构、电气、热传导等特性，功率密度及阻抗具有优势，可实现更大的功率系统及较小体积，但材质较硬，加工上有限制，封装模块与传统矽基IGBT区别大，为充分发挥其体积较小特性，在散热方面需要更多工艺设计，相对其他模块原材料需要更多并联，切割、焊接、打线应材质因素成本也会相对提升Q&ASiC模组国内若只做模块封装价值是否有壁垒，CREE基板供应紧张，产能分配主要依循逻辑？前二年封装仍使用焊接，并使用IGBT架构，但对于产品寿命及可靠性、散热都有局限，且封装体积大，成本也无法改善，之后由焊接改为银烧结，可提升功率及散热能力，但此工艺无论针对SiC或GaN都是较新的工艺，技术尚未成熟，传统IGBT模块厂商可延续经验，但也会有新的挑战SiC模块封装难度高，工艺及材料成本都高过于矽基，操作难度提升也使成本提升，IGBT封装对SiC无法发挥其特性，须结合SiC特性设计封装架构，如塑封、铜带绑定、银烧结、直接烧结等架构，封装难度很高，市面上很多封装厂投入开发模块，但难度高出IGBT甚多，SiC封装占比较矽基IGBT高，能力较强的封装厂可充分发会SiC特性会有较好发展CREE 8”刚开始扩充，还有很长时间才能量产，市场仍以6”为主，产能限制仍大，大部分衬底产能除自用外产品主要供货主流大厂STM、ON、IFX，STM就使用掉60%衬底产能，ON也签订3-5年85M美元衬底材料供货合约，8”衬底材料若无法大幅量产，近几年供货仍然严峻扣除自用CREE仅有1/3衬底外售其他器件厂，其他自用并供货TSLA，分配国内厂商SiC非常少，CREE也会挑选不同商业模式提供其他器件厂及模块封装厂，以及车厂合作伙伴如小鹏等，一般模块封装厂很难拿到CREE产品，但在产能有限，TSLA吃掉很多产能之下，其他拿到都很有限，一般车厂都会倾向选择垂直整合供应链，只提供晶片的厂商不容易打入车厂供应链SiC MOS相较矽基IGBT封装价值更高，是否有具体数字？SiC晶片本身就贵很多，绝对值增加之下，同样SiC模块成本较矽基模块成本贵 30-40%，但毛利率部分因整体ASP高也会比较低车用SiC MOS如Rohm、STM、ON、IFX等与下游车厂关系？是否有晶片厂与车厂开始策略联盟？ON在国内三家车厂份额高于IFX，但IFX在Trench进度更快，竞争格局？Trench技术太新导致车厂不敢用？SiC MOS结构Trench是终极目标，但与IGBT相同，一开始也是从平台式逐渐导入Trench，目前SiC主流应用还是平台式为主，主要供应商为CREE、STM、ON，Rohm、IFX则为沟槽式，但CREE、ON新产品最终也会走向沟槽式路线，以达到更好的设计效果及成本优势，在实现更小的晶片体积加上大功率，平台式有其发展瓶颈，但SiC性能在可靠性方面，以沟槽式角度来看氧化层较为脆弱， Trench会导致更为脆弱，可靠性为车厂选择供应商的关键原因，IFX宣称其Trench结构与其他厂商不同，也做很多可靠性测试，但以其SiC相对其他大厂起步较晚，又走Trench路线，虽在矽基IGBT模块能力强大，但之前SiC封装能力并不突出，因此推广车厂力度不强，新产品SiC模块已达一定水平，虽有送样车厂但还没看到量产ON与部分整车厂客户有一些绑定，ON在全球有筛选几家策略合作客户，包括TSLA、VW、GM，国内蔚来、小鹏、理想也会优先考虑，蔚来SiC项目起步较早，2020年就开始SiC方案，并导入ON的产品，虽尚未发表产品，但从今年开始也签了长期供货合约100K，ON也与TSLA签订长期供货合约大单，TSLA除了ON以外，也跟CREE、STM、IFX都签订长期供货合约，TSLA策略就是包下市场SiC产能建筑壁垒，实现EV领导厂商STM、CREE主要供货绑定TSLA、Rohm在国际大车厂尚无渗透，较积极在中国车厂推广，因此除TSLA及蔚小理以外，车厂不容易找到供货突破口TSLA之前是STM提供MOS，CREE若直供SiC基板给TSLA，TSLA自建产能或交由STM封装？模块封装是TSLA自己设计，并交由STM封装，STM向CREE购买衬底材料制作晶片，TSLA现在也把封装版权开放给ON、IFX及CREE，因此这些大厂也都可以依照其设计进行封装并直接供货TSLA6”晶圆可以生产多少SiC晶片？国内外供应商良率水平？6” SiC依其设计尺寸不同，单一晶圆产出差距大，以ON及STM电力驱动SiC标准款使用在蔚来汽车，一个模块使用48颗晶片，一片6”可以产出400颗+ SiC晶片gross die，晶片端良率约在60-70%，封装端良率约在98-99%晶片良率逐步提升，但国内厂商低很多，不同器件良率也不同，SiC二极管良率较高，但SiC MOS国内还没有实现量产6”转8”主要难度？8”设备供货商及交期？晶棒到晶圆到晶片的切割技术，激光切割、钻石线，切割平整度及磨损都是考 量，晶片蚀刻制程也需要提升，晶片设计及制程微缩技术能力影响边界损失等，到了8”良率也会进一步提升，晶圆尺寸放大也有助边界损失降低，设备上也需要更新，包括切割及后续制程处理等设备部分目前IGBT交期就要18-19个月以上，SiC交期会更长，因此欧洲厂商如Bosch扩产进度不如预期，因此晶圆厂都受制于设备SiC模块应用在车用价格相对IGBT？未来成本差距到什么样的水准可使整车成本达到两平？之后SiC替代性多强？目前考虑SiC替换矽基IGBT主要考虑经济性、以目前模块IGBT售价约200美元，SiC约600美元，以目前一辆车使用SiC之后在电池方面可以有一定节省，以蔚来汽车而言，电池1度电约700-800人民币，使用SiC之后若系统效率可以节省4度电，约当4%的效率，就能节省约3000人民币，就可以达到替换的意义并达到平衡若SiC未来随着产能扩充，6”转8”之后对于成本下降也会很明显，但近期仍然面临供给限制之下，价格不容易下降，但若供应瓶颈解除之后，对于IGBT替代性就会很强国内SiC发展状况？核心竞争优势？ 国内厂商第一受到中美关系紧张，相对之前供应链都是国际大厂，性能及成本优于国内厂商，目前国内车厂难以取得国际大厂支持，但SiC方案势在必行之下，也给国内器件厂商试误验证机会，但从晶片设计、制造等成本与国际大厂仍有明显差距，但在有可靠的终端用户引导下，对于产品品质提升有较好的改进空间车规IGBT国内厂商竞争及市场拓展近况？IGBT目前主流以IFX等大厂为主，ON亦有部分份额，国内主要斯达、中车、士兰微，以及比亚迪，比较国内厂商今年在EV整体量体达300-500万辆，需要很多IGBT产能，IFX并无法提供国内客户多余产能，扩产主要提供国际车厂，ON产能主要提供欧洲车厂也很紧张，IGBT模块在EV上供给吃紧，因此提供国内IGBT模块厂较好的机会，性能上也都通过国内车厂验证，目前也都有小批量在出货，在IGBT紧缺下今年可望加速成长个别厂商有其优势，斯达在A级及A00级占有较多份额，A级以上成本相对较高，以进口品售价约在200美元，斯达在150-160美元，产品委外代工相对中车及士兰微的IDM模式，中车成本约在120-130美元，A级以上的车较看好中车及士兰微份额提升，因此虽然斯达客户群最广，但仍以小功率模块为主国内功率厂商在SiC进展及与下游车企合作状况？SiC比亚迪使用较多，采购STM及Bosch晶片自己封装，斯达买CREE晶片自己封装，除比亚迪以外斯达进度较快，且能从CREE拿到产能及价格支持，模块厂中车自己开发SiC晶片，但SiC MOS仍需要较长时间发展，短期看不到有模块产品供货其他车厂，士兰微尚未成熟，3-5年都不会有自己晶片，从封装角度可能斯达较快，但3-5年除斯达有外厂奥援，其他厂商看不出来有明显量产机会国内车企对SiC态度？新势力规划800V平台首选就是SiC，传统车企也已经有共识，SiC今年都可以看到正式开发项目，绝大多数车厂规划都是采用SiC平台，800V平台IGBT没有合适方案，基本上都要采用SiC。