报告总结：碳化硅材料特性使得MOSFET结构轻松覆盖650V-3300V，导通损耗小；同时，90%的行车工况是在主驱电机额定功率30%以内，处于碳化硅的高效区；另外，SiC主驱使得电源频率和电机转速增加，相同功率下转矩减小，体积减小；主驱控制器用S iC MOSFET的800V平台车型总体节能5%-10%。SiC MOSFET是800V高压系统功率半导体的较佳选择，目前已发布或即将发布的800V高压系统方案大部分都选择采用SiC MOSF ET。对于超级快充，最好的办法是采用800V的平台，用800V的超级快充时，要求充电桩电源模块的功率要扩容到40kW/60kW，全SiC的方案效率则可以提高2%。800V高压系统将带动主驱逆变器、车载OBC、DC-DC、PDU、超充、快充电桩开始大规模应用碳化硅，碳化硅迎来甜蜜时刻。
