功率半导体分立器件 头豹词条报告系列
2023/9/15 16:07头豹科技创新网https://www.leadleo.com/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==1/19Leadleo.com客服电话：400-072-5588版权有问题？点此投功率半导体分立器件 头豹词条报告系列诉行业：制造业/计算机、通信和其他电子设备制造业/电子器件制造/半导体分立器件制造信息科技/半导体关键词：功率半导体分立器件IGBTMOSFET行业定义功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且...AI访谈行业分类按照控制电路信号对器件的控制程度，功率半导体分立器...AI访谈行业特征从产品设计角度看，为了满足现代电子设备对于高性能、...AI访谈发展历程功率半导体分立器件行业目前已达到 3个阶段AI访谈产业链分析上游分析中游分析下游分析AI访谈行业规模功率半导体分立器件行业规模暂无评级报告AI访谈数据图表政策梳理功率半导体分立器件行业相关政策 5篇AI访谈竞争格局中国功率半导体分立器件行业市场化程度较高，行业集中...AI访谈数据图表马炎·头豹分析师2023-08-28未经平台授权，禁止转载摘要功率半导体分立器件主要起功率控制、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，是电力电子应用装备的基础及核心器件，广泛应用于消费电子、网络通信、工业控制等，新能源汽车等领域。目前，中国功率半导体分立器件行业市场化程度较高，行业集中度较低，竞争较为激烈。虽然中国功率半导体分立器件企业虽然起步相较国外企业较晚，但是经过长期的发展，积累了相关技术经验，与国外企业的技术差距进一步减小，受益于下游应用行业的高速发展，对功率半导体分立器件需求日益旺盛，政策法规鼓励支持国产功率半导体分立器件的研发，功率半导体分立器件国产化进程加速。随着新能源汽车以及光伏、风电等行业的蓬勃发展，预计未来中国功率半导体分立器件行业规模整体呈稳定增长态势，2027年市场规模有望达1,373.5亿元。功率半导体分立器件行业定义[1]功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能上不能再细分的半导体器件。功率半导体分立器件是半导体器件的重要组成部分，是电力电子应用装备的基础及核心器件，主要起功率控制、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，保障电能运行更加安全、可靠、高效和经济。功率半导体分立器件的应用十分广泛，几乎覆盖所有的电子制造业，传统应用领域包括消费电子、网络通信、工业控制等，近年来，新能 2023/9/15 16:07头豹科技创新网https://www.leadleo.com/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==2/19源汽车及充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等也逐渐成为功率半导体分立器件的新兴应用领域。[1]1：功率半导体分立器件产...按照控制电路信号对器件的控制程度按照器件结构功率半导体分立器件行业分类[2]按照控制电路信号对器件的控制程度，功率半导体分立器件可分为不可控型、半控型和全控型。按照器件结构，功率半导体分立器件可分为肖特基二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、快速晶闸管和其他结构类型功率半导体分立器件。功率半导体分立器件分类不可控器件不可控型功率半导体分立器件是指不能通过控制信号来控制其通断的功率半导体分立器件，代表器件为功率二极管等。半控器件半控型功率半导体分立器件是指通过控制信号能够控制其导通而不能控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件为晶闸管及其大部分派生器件。全控器件全控型功率半导体分立器件是指通过控制信号既能够控制其导通，又能够控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件为绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等。 2023/9/15 16:07头豹科技创新网https://www.leadleo.com/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==3/19功率半导体分立器件分类肖特基二极管肖特基二极管是单极器件，利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结作为肖特基势垒，以产生整流的效果，在中等、高等功率领域中应用广泛。金属-氧化物半导体场效应晶体管金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），简称金氧半场效晶体管或MOS管，MOS管属于绝缘栅型场效应管，其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的功率半导体分立器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速度和驱动能力的优点。快速晶闸管快速晶闸管是普通晶闸管的一种派生器件，是用于较高频率的整流、逆变和变频电路的器具，并且可以在400Hz以上频率工作的晶闸管，快速晶闸管主要用于感应加热的中频电源装置。其他结构类型功率半导体分立器件除肖特基二极管、MOSFET、IGBT和快速晶闸管外，功率半导体分立器件还包括双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、光控晶闸管、双向晶闸管、整流二极管等。[2]1：https://zhuanlan.z...2：功率半导体分立器件产...功率半导体分立器件行业特征[3]从产品设计角度看，为了满足现代电子设备对于高性能、小型化、高效能、可靠性的需求，功率半导体分立器件模块化与集成化趋势将愈发显著。从认证周期看，由于功率半导体分立器件下游客户对功率半导体分立器件的性能、质量等审查严格，致使产品通过审查需经6个月至2年不等，认证周期较长。从产品发展趋势来看，下游应用行业的高速发展，对功率半导体分立器件需求日益旺盛，但本土厂商供给率较低，国产替代空间广阔。1集成化趋势明显 2023/9/15 16:07头豹科技创新网https://www.leadleo.com/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==4/19终端领域高功率密度需求带动功率半导体分立器件模块化和集成化。在高功率应用中，大型器件将会导致散热问题和占用大量空间，集成化可以减少组件数量，减小器件的尺寸和体积，集成化可以减少连接点，降低潜在的故障源，从而提高器件的可靠性。随着新能源汽车、5G技术的兴起，为了满足现代电子设备对于高性能、小型化、高效能、可靠性的需求，功率半导体分立器件模块化与集成化趋势将愈发显著。2下游客户认证周期较长功率半导体分立器件下游客户对功率半导体分立器件的性能、质量等审查严格且时间较长，通常在6个月至2年不等，认证周期较长。功率半导体分立器件的稳定性和可靠性对下游产品品质有重要影响，下游客户对过功率半导体分立器件有严格的筛选和认证标准，功率半导体分立器件认证过程通常要经过样品监测、小批量试用、稳定性监测、批量生产及体系审核等多轮环节，通过认证后还需通过定期考核，认证周期通常在6个月至2年不等，部分高认证要求产品认证周期可达数年，认证周期较长。3国产替代空间广阔功率半导体分立器件需求量较高，本土厂商供给率较低，国产替代空间广阔。近些年中国功率半导体分立器件行业发展迅速，但相较于国际领先水平仍有一定的差距，关键技术和高端产品仍依赖欧美企业。中国功率半导体分立器件行业下游应用行业的高速发展，对功率半导体分立器件需求日益旺盛，若出现供不应求的情况，会影响企业功率半导体分立器件的生产以及下游应用领域的使用。例如，中国IGBT供需缺口较大，2022年交期、价格以上涨为主，中国2021年IGBT需求量达1.32亿只，中国IGBT产量仅0.258亿只，本土厂商供给率仅为19.55%，国产替代空间广阔。富昌电子2022年第四季度报告显示，IGBT厂商交期仍达50周。[3]1：https://doc.rongd...2：http://www.eeo.co...3：https://icspec.com...4：维安电子公告，扬杰科...功率半导体分立器件发展历程[4]功率半导体分立器件迄今主要经历了三个发展阶段：在1957年至1980年的萌芽期，美国通用电气公司研制出世界上第一只工业用普通晶闸管，标志着功率半导体分立器件的诞生。二十世纪70年代后期，全控型器件迅速发展，第二代功率器件应运而生。在1981年至1999年的启动期，绝缘栅极双极型晶体管成为现代电力电子技术的主要器件，二十世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。在 2023/9/15 16:07头豹科技创新网https://www.leadleo.com/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==5/192000年至2023年的高速发展期，新洁能、捷捷微电等企业崛起，2017年左右，一些主业为二极管、晶闸管等产品的企业纷纷转型，生产价值更高的IGBT等器件，国产替代不断推进，功率半导体分立器件行业快速发展。萌芽期1957~19801957年，美国通用电气公司(GE)研制出世界上第一只工业用普通晶闸管，标志着功率半导体分立器件的诞生。1959年，第一个真正的紧凑型晶体管MOSFET问世。二十世纪70年代后期，门极可关断晶闸管GTO、电力双极型晶体管BJT、电力场效应晶体管功率MOSFET为代表的全控型器件迅速发展，第二代功率器件应运而生。1957年，美国通用电气公司研制出世界上第一只工业用普通晶闸管，标志着功率半导体分立器件的诞生。二十世纪70年代后期，全控型器件迅速发展，第二代功率器件应运而生。启动期1981~1999二十世纪80年代后期，绝缘栅双极晶体管集合了MOSFET的驱动功率小、开关速度快和BJT通态压降小、载流能力大的优点，成为现代电力电子技术的主要器件，在中低频大功率电源中占重要地位。二十世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。二十世纪80年代后期，绝缘栅双极晶体管成为现代电力电子技术的主要器件，二十世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。高速发展期2000~20232000年后，华润微、华虹开始转型，开始研发MOSFET等功率器件，2010年左右，新洁能、捷捷微电等企业崛起，2017年左右，一批中国本土功率半导体分立器件企业上市，一些主业为二极管、品闸管等产品的企业纷纷转型，生产价值更高的IGBT等器件，例如扬杰科技等企业，国产替代不断推进，功率半导体分立器件行业快速发展。2010年左右，新洁能、捷捷微电等企业崛起，2017年左右，一些主业为二极管、品闸管等产品的企业纷纷转型，生产价值更高的IGBT等器件，国产替代不断推进，功率半导体分立器件行业快速发展。[4]1：https://zhuanlan.z...2：https://zhuanlan.z...3：https://www.thepa...4：功率半导体分立器件产...功率半导体分立器件产业链分析[5] 2023/9/15 16:07头豹科技创新网https://www.leadleo.com/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==6/19产业链上游原材料供应厦门士兰集科微电子有限公司華虹半導體有限公司隆基绿能科技股份有限公司查看全部产业链中游功率半导体分立器件生产制造功率半导体分立器件产
