存储行业深度报告：新周期，新机遇

新周期，新机遇 2025年11月04日 ➢受益AI需求拉动，25Q4存储价格有望持续看涨。由于三大原厂持续有限分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，整体DRAM在第四季度有望继续上涨。根据Trendforce预测，预计2025Q4整体一般型DRAM价格环比增长8-13%。HDD供给短缺与过长交期，使CSP将储存需求快速转向QLC eSSD，短期内急单大量涌入，造成市场明显波动，预计25Q4 NAND Flash各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。 推荐 维持评级 ➢需求侧：“以存代算”带来存储新需求。AI时代，内容由文本向图像、歌曲、视频和多语言视频跃迁，数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora 2等视频生成应用进一步加速增长。AI使得海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”，推动存储从HDD转向SSD/DRAM。HDD供给受限、交期的延长，也加速了SSD替代HDD。此外，推理端“以存代算”成为核心：Prompt经Prefill转化为结构化的KV Cache与RAG向量，支撑高并发、低延迟的Decode，驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD的分层演进，实现更高吞吐与能效优化。 分析师方竞执业证书：S0100521120004邮箱：fangjing@glms.com.cn分析师李萌 执业证书：S0100522080001邮箱：lmeng@glms.com.cn ➢供给侧：CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约。为打破“内存墙”对算力发展的制约，CBA+HBF应运而生，成为存储IDM未来发展的核心方向。CBA技术显著提升了单位面积的存储密度，同时优化了内部互连路径，已在DRAM、NAND下一代技术升级中全面应用。同时国产龙头厂商（合肥长鑫、长江存储）也在加紧追赶脚步。HBF则是借鉴了HBM的封装设计，但用闪存替换了部分DRAM堆栈。相比HBM，HBF具备8-16倍的存储容量和非易失性存储的优势，能够显著缓解AI数据中心在热管理和能源成本上的压力。 相关研究 1.电子行业动态：Scale up助推交换芯片增长-2025/11/032.电子行业点评：上游材料缺货，关注封装基板投资机遇-2025/10/283.半导体行业专题：空白掩模版：光刻工艺核心原料，国产化亟待突破-2025/10/104.电子行业点评：美或扩大限制范围，国产设备有望受益-2025/10/105.电子行业点评：沐曦二轮问询核查通过，算力龙头上市加速推进-2025/09/23 ➢设备：受益存储上行周期Capex提升。受益于AI需求的拉动、存储涨价的持续，存储行业或持续面临供需偏紧状态，原厂有望提高资本开支以满足持续增长的存储需求，半导体设备有望受益。根据SEMI预测，2025/2026年全球NAND设备市场规模有望达到137/150亿美元，同比增长42.5%/9.7%。4F2 DRAM、3D NAND等存储新架构的创新带来刻蚀、沉积、键合设备新的发展机遇。 ➢投资建议：存储行业有望迎来“景气周期”，建议关注：1）需求侧：德明利、江波龙、香农芯创、兆易创新；2）CBA带来Logic die代工：晶合集成、华虹公司；3）存储原厂Capex提升：拓荆科技、北方华创、中微公司、华海清科、精智达、华峰测控、长川科技。 ➢风险提示：AI建设不及预期；AI推理技术发生变革；Logic die分离制造研发不及预期；存储原厂扩产不及预期。重点公司盈利预测、估值与评级 目录 1存储周期：周期向上，开启涨价...............................................................................................................................32需求侧：以存代算带来存储新需求...........................................................................................................................52.1数据量剧增，存储需求激增.............................................................................................................................................................52.2冷数据转温，SSD替代加速............................................................................................................................................................72.3 KV Cache：推理端“以存代算”...................................................................................................................................................83供给侧：CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约......................................................................................................103.1 CBA：实现高密度、高性能的关键...............................................................................................................................................103.2 HBF：NAND的“HBM时刻”....................................................................................................................................................124半导体设备受益存储上行周期...............................................................................................................................144.1上游设备有望受益存储原厂扩产..................................................................................................................................................144.2刻蚀/沉积设备受益存储架构创新.................................................................................................................................................155投资建议..............................................................................................................................................................176风险提示..............................................................................................................................................................18插图目录..................................................................................................................................................................19表格目录..................................................................................................................................................................19 1存储周期：周期向上，开启涨价 存储行业发展呈现明显周期性特征，可划分为多轮周期。第一轮周期（2012-2015年），上行由智能手机增长驱动存储需求，下行因PC销量衰减、存储厂商扩产引发供过于求；第二轮周期（2016-2019年），上行受安卓手机内存/闪存容量提升、厂商转产3D NAND致DRAM供应紧张推动，下行因3D NAND大扩产后PC、服务器需求疲软；第三轮周期（2020-2023年），上行受益于疫情下PC、服务器需求提升及5G手机单机存储容量升级，下行因疫情反复、消费电子终端需求低迷；2024年至今进入新一轮周期，上行由存储大厂减产优化供给、人工智能（AI）带动服务器/PC高端存储需求增长驱动。 资料来源：全球半导体贸易统计组织、wind，民生证券研究院整理 DRAM&NAND指数（平均价格指数）：25Q3整体价格指数回升：NAND、DRAM减产效应逐步体现，需求端下半年优于上半年，Trendforce预计整体存储价格或将实现个位数回升。基于AI需求的持续增长，我们预计存储价格Q4仍能维持涨势。 资料来源：CFM、ifind，民生证券研究院整理 受益AI需求拉动，25Q4存储价格有望持续看涨。由于三大原厂持续有限分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，整体DRAM在第四季度有望继续上涨。根据Trendforce预测，预计2025Q4整体一般型DRAM价格环比增长8-13%，若加计HBM，涨幅扩大至13-18%。HDD供给短缺与过长交期，使CSP将存储需求快速转向QLC eSSD，短期内急单大量涌入，造成市场明显波动，预计25Q4 NAND Flash各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。 资料来源：Trendforce，民生证券研究院 资料来源：Trendforce，民生证券研究院 2需求侧：以存代算带来存储新需求 2.1数据量剧增，存储需求激增 在AI生成内容的快速发展的趋势下，不同创作表现形式对应的数据容量增幅十分惊人。起初，AI处理简单文字类交互任务时，数据容量不足1MB；当指令AI生成一系列图像，数据量跃升至1MB；若让AI创作一首歌曲，数据容量进一步提升到5MB；而当需要AI制作视频时，每分钟就需50MB的数据支撑；要是再让AI将视频翻译成多语言（涉及多个视频的生成与处理），数据量更是以“50MB（每分钟）×多个视频”的量级大幅增长。随着AI生成的内容从单一、简易的语音、图像，向歌曲、视频乃至多语言视频等更复杂形式演进，数据容量呈现出急剧扩大的态势。 资料来源：希捷科技公告，民生证券研究院 Sora 2作为最新